关于LVPECL摆幅范围的解释说明

晶振知识

关于LVPECL摆幅范围,晶诺威科技解释说明如下:

LVPECL(Low-Voltage Positive Emitter-Coupled Logic)的差分输出摆幅(Vswing)典型值为 800mV,实际范围大约在 600mV ~ 850mV 之间,具体取决于供电电压和器件厂商的规格。

一、不同供电电压下的电平参数

关于LVPECL摆幅范围的解释说明

二、单端电平范围(3.3V LVPECL,Microchip 规格)

VOH

1.8V min;1.92V Typ.;2.41V max.

VOL

0.96V min;1.06V Typ.;2.57V max.

三、与其他差分标准的摆幅对比

LVDS

差分摆幅350mV,功耗最低。

LVPECL

差分摆幅约800mV,功耗较高。

CML

差分摆幅400~800mV,功耗中等。

LVPECL 的摆幅较大(约800mV),相比 LVDS(350mV)具有更强的驱动能力和更高的噪声容限,支持 10Gbps 以上的高速数据传输,但功耗也相应更高。实际设计中,摆幅会因器件型号、负载条件和端接方式有所差异,建议以具体芯片的数据手册为准。

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