CMOS晶体振荡器 与LVCMOS晶体振荡器的区别解释如下：

首先，晶体振荡器（有源晶振）与晶体谐振器（无源晶振）最大的区别，除了前者本身带有电压之外，还拥有后者没有的输出信号模式（输出逻辑）。输出逻辑指输出的电路类型，主要有CMOS、LVCMOS、SCL、LV-PECL、LVDS、Clipped Sine Wave（削峰正弦波），其中CMOS和LVCMOS是石英晶体振荡器中较为常见的两种输出。

CMOS具有诸多优于其它类型输出信号的优点，如CMOS晶体振荡器具备低相噪优势，非常适合数字电路设计。

LVCMOS中的LV指的是Low Voltage，意思是“低电压”，往往代表着“低功耗”。如果设备对低功耗有要求，晶诺威科技建议选择输入电压为1.8 V、2.5V或2.8V的LVCMOS晶体振荡器，消耗电流见上表。LVCMOS晶体振荡器适合无线和有线基础设施，如低功率医疗成像设备、便携式测试和测量设备，工业测试设备及网络通信设备等。

与LVCMOS晶体振荡器对比，CMOS晶体振荡器可以使用更高电压，因此可以实现直供电源设备对晶振更大功率之设计需求，如输入电压为3V、3.3V或5V的CMOS晶体振荡器。

拓展阅读：LVCMOS的特点

在电子钟表和频率合成器等领域，LVCMOS因其高稳定性和方波特性，为系统提供了稳定、准确的时钟信号，保证了系统的正常运行。在无线通信、便携式设备及汽车电子系统中，LVCMOS的低功耗特性使其成为理想的选择。这些应用场景对功耗要求较高，LVCMOS能够有效降低能耗，延长设备使用寿命。

LVCMOS作为低电压有源晶振的输出波形，以其高稳定性、方波特性和低功耗特性，在电子设备中发挥着重要作用。正确选择和应用LVCMOS，能够为电子系统提供更稳定、更准确的时钟信号，确保整个系统的正常运行。