（晶诺威产插件无源晶振49S封装内部结构图）

引发晶振电气参数DLD不良的根本原因有哪些？

在设备正常工作中，有时晶振电阻出现跳变，如突然会增大一倍，使得电路在低电平下无法保证正常运行，包括开机，但单独测试晶振又是正常的，此时就要认真判断该无源晶振的DLD特性是否合格。

晶诺威科技产无源晶振10MHz测试数据如下：

引发晶振DLD不良产生的原因主要由晶振制造工艺及/或制程及不达标所致，归纳原因如下：

石英晶片表面吸附固体微粒，如尘埃等，由洁净车间不达标所致。

晶振内部存在封焊残留异物，由晶振制程不达标所致。

石英晶片表面缺陷，如机械损伤（砂痕，裂纹等），由晶片加工工艺不达标所致。

电极膜不良，如存在银颗粒、浮银、油污染、膜厚不良等，由晶片制造工艺不达标所致。

导电胶中存在气泡，由导电胶自身品质或点胶工艺不达标所致。

石英晶片遭受支架应力不同程度破坏，由晶振设计工艺不达标所致。

晶振封焊时氮气含氧量，水汽含量高，引发晶振低温起振异常，该现象由晶振制造工艺不达标所致。

晶振DLD不良，且主要都集中在低激励或温度变化时出现了电阻跳变，有时电阻会增大一倍或更多，使得晶振振荡电路在低电平下无法保证正常工作，但单独测试晶振又是正常的，此时就要认真判断该晶振的DLD特性是否合格。针对该电气参数检测，应该交由晶振厂家完成。