晶振制造对晶振品质的三个主要影响

关于晶振制造对晶振品质的三个主要影响,晶诺威科技解释说明如下:

1、石英晶片

晶振的输出频率是由内部石英晶片以固有频率高频振荡而产生。石英晶片需要覆银(或金)形成电极面,并经由晶振内部电路,最终接入振荡电路。如果石英晶片镀银不良,就会造成晶振电气参数DLD不良,具体表现为高低温下频偏超差或因电阻跳变而停振等。

晶振制造对晶振品质的三个主要影响

2、点胶

其次,从物理角度来看,导电胶的作用就是连接晶片的电极面与频率管脚之间的电路。导电胶中存在气泡或杂质,导电性能不良;点胶不均匀或胶水量不足,影响其稳定性和可靠性;导电胶的粘度和点胶参数不合适,导致在振动或冲击下性能不稳定。导电胶过多触壳,可能导致晶振内部短路,如:测试晶振的两个频率管脚时,发生一端有频率信号输出,而另一端因短路无输出问题。

晶振制造对晶振品质的三个主要影响

3、气密性

最后,晶振为气密性封装频率器件,如果空气或水蒸气进入其内部,晶片电极的银就容易发生氧化。镀银层氧化变黑后,不但导电性能下降,造成电阻增加,导致晶振起振困难,镀银层一旦脱落,晶振就会停振。晶诺威科技产无源贴片晶振封装方式为滚边焊(SEAM),有效提升了晶振气密性,避免了因晶振漏气造成频率不稳定问题。

晶振制造对晶振品质的三个主要影响

关于晶振电气参数DLD的解释:

FDLD = MaxFr – MinFr在给定的激励功率范围内,测量的最大串联谐振频率与最小串联谐振频率之间的差值。单位是PPM。FDLD 值越小,表明晶振在变化的激励功率下的频率稳定性越好。

RLD = Max R在给定的激励功率范围内,测量的最大电阻值。单位是Ω。较高的 RLD 值可能表明晶振在高驱动水平下的电阻变化较大,可能影响其性能和稳定性。

DLD2 = MaxR – MinR在给定的激励功率范围内,测量的最大谐振电阻与最小谐振电阻之间的差值。单位是Ω。DLD2 值越小,说明晶振的电阻稳定性越好。

拓展阅读:晶振内部污染物的来源及对晶振性能的影响

晶振在长期使用过程中可能受到内部污染物的影响,导致频率漂移、稳定性下降甚至失效。其来源如下:

1、制造过程残留生产环境不洁净:切割、研磨或封装过程中可能引入微小颗粒(如石英碎屑、金属粉尘)。

2、封装密封不良:若气密性不足,外部污染物可能在制造阶段就已渗入。

3、使用环境影响

温湿度变化:高湿度环境可能导致水汽侵入,而温度剧烈波动可能加速材料老化。

化学腐蚀:暴露在含硫、氯等腐蚀性气体中,可能引发电极氧化。

机械应力:振动或冲击可能导致封装微裂纹,使污染物更易进入。

4、储存不当湿度过高或过低:建议储存湿度保持在 30%~75%RH,避免极端干燥或潮湿环境。

5、长期老化封装材料退化:长时间使用或热循环可能导致密封胶老化,形成微小裂缝,使污染物渗入。

电话:0755-23068369