晶诺威科技产250KHz温补晶振TCXO DIP-14，规格参数说明如下： PRODUCT TYPE：温补振荡器 TCXO DIP-14 NOMINAL FREQUENCY：250KHz GNW P/N：14TG250K3D OUTPUT WAVEFORM：方波CMOS POWER SUPPLY：3…

时间：2024/02/21

如何驱动无源晶振和有源晶振？晶诺威科技解释如下： 对于晶振而言，“驱动晶振”指的是为无源晶振（Crystal）提供正确的激励功率（Driver Level）或对有源晶振（Oscillator）提供额定的电源电压（Vdd），使其在规定的频率和振幅范围内工作。 无源晶振的驱动方式 一般情况下，无源晶振的…

时间：2024/02/20

VC-TCXO输出的是什么波形？ 答：VC-TCXO（压控温补晶振）通常输出的波形为CLIPPED SINE WAVE（削峰正弦波）或CMOS（方波）。也有少数应用为SINE WAVE（正弦波）。 晶诺威科技产VC-TCXO（压控温补晶振）规格参数举例如下：  

时间：2024/02/19

关于晶振起振慢的原因，晶诺威科技分析如下： 1、电容参数不匹配 如果使用的电容参数与晶振的要求不匹配，容易导致起振慢的问题。 2、晶振电阻（ESR）过大 如果晶振的等效电阻过大，容易造成激励功率驱动不足，造成起振慢。 3、PCB板设计不当 如果PCB板设计中，晶振在强噪声的环境下（如马达、喇叭，风扇…

时间：2024/02/18

（正弦波应用） 正弦波和方波晶振可以直接互相替代吗？ 答：不可以。 晶诺威科技解释如下： 无源晶振（晶体谐振器）的波形为正弦波；而有源晶振（晶体振荡器）的波形以方波为主。 正弦波的输出是一个连续且光滑的波形，其频率稳定，适用于一些对波形质量和频率稳定性要求较高的应用，如一些模拟信号应用，如射频应用和…

时间：2024/02/06

晶振两端电容对时间的影响是什么？ 答：晶振两端电容越大，时间越慢；晶振两端电容越小，时间越快。 晶诺威科技解释如下： 一般情况下，增大无源晶振的负载电容将会使其振荡频率下降。负载电容越大，其振荡越稳定，但是会增加起振时间和功耗。 晶振两端电容大小对电路的稳定性有着重要影响。合适的电容大小可以提高电路…

时间：2024/02/05

9pF晶振选多大电容？ 答： 12pF 晶诺威科技解释如下： 在一些情况下，为晶振添加适当的负载电容是必要的。这有助于维持振荡的稳定性，确保信号的质量和准确性。 当负载电容CL=9pF，建议外接电容C1=C2=12pF。

时间：2024/02/04

关于晶振的三个主要规格参数（electrical characteristics）说明如下： 频率（Frequency） 晶振的频率是其最重要的规格参数之一，通常以赫兹（Hz）为单位表示，如MHz或KHz。不同的电子设备需要不同的频率的晶振来产生时钟信号。 精度（Precision） 晶振的精度是指…

时间：2024/02/03

晶振引脚与外壳短路会怎样？ 答：如果是两脚无源晶振，如49S直插晶振，当引脚与晶振金属外壳短路时，晶振将无法工作。如果是四脚无源晶振，如SMD3225贴片晶振，如果脚1或脚3与晶振金属外壳短路，晶振将无法工作。 （晶诺威科技产四引线无源晶振及两引线无源晶振） （晶诺威科技产四引线无源晶振内部电路） …

时间：2024/02/02

如何保护晶振？ 1、潮湿度会影响到晶振性能，因此请将晶振放在干燥通风的地方，使其避免受潮导致其它电气参数发生变化; 2、晶振属于易碎器件，要做好防震措施，不宜放在较高的货架上。一般来说，从高空跌落的晶振不应再次使用; 3、在晶振焊锡过程中，其焊锡的温度不宜过高，焊锡时间也不宜过长，防止晶振内部电气参…

时间：2024/02/01