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晶振SMD5032-4P与SMD5032-2P的差异是什么?
晶振SMD5032-4P与SMD5032-2P的差异是什么? 答:差异主要体现在焊盘上。 以晶诺威生产的无源晶振SMD5032为例: 1、晶振SMD5032-4P为4焊盘晶体谐振器,脚1与脚3为频率管脚,没有方向性。脚2与脚4为接地脚,如果所需应用有抗电磁干扰需求(尤其是RF射频类产品),建议同时接…时间:2024/05/26 -
外接电容选择不当会对晶振电路造成什么影响?
外接电容选择不当会对晶振电路造成什么影响? 如果晶振的外接电容值选择不当,可能会对电路产生以下影响: 1、频率稳定性:电容值过小可能导致频率稳定性下降,容易受到外界因素的干扰。电容值过大可能会使频率偏离标称值。 2、起振问题:电容值不合适可能导致晶振无法正常起振或起振困难。 3、功耗增加:不恰当的电…时间:2024/05/25 -
晶振金属(SEAM)封装和陶瓷(GLASS)封装有差异吗?
(晶诺威科技产8MHz陶瓷封装SMD5032-2P) 晶振金属(SEAM)封装和陶瓷(GLASS)封装有差异吗? 答:几乎没有差异。 晶诺威科技解释如下: 两者只是上盖选材差异,其它设计完全一样。如果电气特性一样,且焊盘(FOOT PAD)相同,同规格晶振可以相互替换,不会造成使用问题。通常,因上盖…时间:2024/05/24 -
小尺寸晶振SMD1210规格参数介绍
晶诺威科技产晶体谐振器SMD1210主要参数如下: 频率范围:24MHz to 54MHz 体积:1.2x1.0x0.30mm 工作温度(°C):-20~+70,-40~+85 激励功率:10μW(200μW max.) 晶体谐振器SMD1210特点及优势: 小体积 低功耗 易起振 高稳定性 抗干扰…时间:2024/05/22 -
一般贴片晶振的外壳可以承受多大外力?
一般贴片晶振的外壳可以承受多大外力? 答:晶振本体荷重:10N,持续时间:10秒,治具:R0.5(制品中心位置)。 附:晶诺威科技晶振产品可靠性测试时间:2024/05/22 -
晶振激光焊封装和滚边焊(SEAM)封装差异对比
(-40~+125℃温度区间内滚边焊SMD3225 8MHz晶振频率及电阻变化曲线) 晶振激光焊封装和滚边焊(SEAM)封装差异对比如下: 激光焊封装 在氮气环境中,使用激光产生的高温将晶振盖板与晶振基座焊接完成封装,该工艺主要用于贴片晶振SMD3225生产。 滚边焊(SEAM)封装 晶振滚边焊(S…时间:2024/05/21 -
74.25MHz LVDS差分晶振电气参数及引脚说明
(LVDS Output 74.25MHz 12kHz-20MHz 156fs) 74.25MHz LVDS差分晶振电气参数及引脚说明如下: Applications 主要应用 HD Video 高清视频 SDI/HD-SDI Features 特点 74.25MHz LVDS差分信号输出 Supp…时间:2024/05/20 -
RF射频设备晶振频偏会导致射频距离变短吗?
RF射频设备晶振频偏会导致射频距离变短吗? 答:是的,晶振频偏会直接影响RF射频距离。如果蓝牙晶振选型或使用不当,例如100米信号发射及接收距离可能缩短,如50米。 (Bluetooth Tacking Distance) 关于RF射频设备信号传输距离,在晶振选型方面,晶诺威科技解释如下: 1、 请…时间:2024/05/20 -
晶振厂家规格书内的CL是什么含意?
晶振厂家规格书内的CL是什么含意? 答:是指制作振荡器时加的负载电容,通常表示为CL,它是晶振在正常工作时需要连接的负载电容,用来与谐振器自身和外部电路形成谐振回路,这样其输出振荡频率才会准确。 在实际应用中,会根据不同的应用场景选择合适的负载电容晶振。 例如,在便携式电子设备中,通常希望降低功耗以…时间:2024/05/20 -
低负载电容的晶振能代替高负载电容的晶振吗?
低负载电容的晶振能代替高负载电容的晶振吗? 答:不能。 一般情况下,低负载意味着低功耗,驱动级别低。因此,如果用低负载电容的晶振代替高负载电容的晶振,如CL=6pF代替CL=20pF,可能造成晶振频偏超差或过驱,造成系统相关功能失效。 晶诺威科技产低负载低功耗晶振SMD1612规格参数如下:时间:2024/05/18
