（40MHz压控温补晶振VC-TCXO晶振测试电路） 40MHz压控温补晶振VC-TCXO晶振（1XTV40000MCA）电气参数说明如下： 品牌：KDS 产品系列： DSA321SDN 标称频率：40.000000 MHz 封装尺寸：3225_4P（3.2 x 2.5 mm） 工作温度：-30℃ …

时间：2026/10/12

晶诺威科技产30.72MHz温补晶振TCXO7050使用说明如下： 主要参数： 晶振型号：高精度温补晶体振荡器 TCXO7050 标称频率：30.720000MHz 初始频率精度：±0.5ppm 频率温度稳定度：±1.0ppm 工作温度范围：-40~+85℃ 输出波形：CMOS方波 工作电压：3.3…

时间：2026/09/23

（True Sine Wave/正弦波） 晶诺威产125MHz高精度温补晶体振荡器TCXO-0914规格说明如下： 主要参数 标称频率：125.000MHz 尺寸：14.65×9.35×4.0mm 频率准确度：≤±1ppm @25±5℃ 频率温度稳定度：≤±2ppm （-40℃to +85℃） 供电…

时间：2026/09/06

关于晶诺威科技产低相噪晶体振荡器OCXO和TCXO，介绍如下： 晶振的相位噪声是衡量信号纯净度的核心指标，数值越小越好（如-165dBc/Hz优于-155dBc/Hz）。你可以根据系统对近端（如1kHz）或远端（如10kHz）相噪的具体要求来选择。在低相噪表现方面，OCXO恒温晶振明显高于TCXO温…

时间：2026/06/26

晶诺威科技产VC-TCXO7050压控温补晶振50MHz--CMOS输出测试数据如下： 主要参数： 晶振型号：VC-TCXO7050 晶振料号：05VTG50MG3E 频率：50MHz 输出类型：CMOS方波 工作电压：3.3V 温度稳定性： ±1ppm 工作温度范围：-40~+85℃ 压控范围：0…

时间：2026/06/19

Test data for CMOS output 8MHz TCXO-DIP8  ±0.25PPM as below:

时间：2025/03/13

（晶诺威科技产10MHz温补晶振TCXO-DIP14测试数据） （晶诺威科技产10MHz温补晶振TCXO-DIP14产品图)

时间：2024/09/11

（TEST DATA FOR TCXO-DIP14-10MHZ-5V） 关于CMOS输出10MHz高精度石英温补振荡器TCXO DIP14规格及参数,晶诺威科技介绍如下： MAIN ELECTRICAL CHARACTERITICS主要电气参数 标称频率Nominal Frequency: 10.0…

时间：2022/09/20

晶振的相噪与抖动Phase Noise and Jitter解释如下： 一个晶振在某一偏移频率处的相位噪声定义为在该频率处1 Hz带宽内的信号功率与信号总功率比值。 定义相位噪声是从能量角度来说的，指单位带宽内的功率与总信号功率的比，单位是dBc/Hz，所谓的单位带宽，是指偏离理想频点的单位带宽。 …

时间：2021/09/09

关于不同晶振及晶振电路产生的相位噪声（phase noise）原因，晶诺威科技分析如下： 在低噪声晶振设计中，电路是非常重要的环节，振荡电路应该要使晶振的有载Q值不致下降很多，并且电路附加的噪声要足够小。 有源晶振常见的类型为普通晶振XO，温补晶振TCXO，恒温晶振OCXO，他们之间直观的不同，就是…

时间：2021/08/09