2021-06-17

一般情况下，晶振起振慢的情况主要发生在无源晶振的电路应用上，主要原因是晶振受到外接电容与电路板杂散电容共同作用所致。 晶振的负载电容是晶振本身的参数，为固定值。而晶振的外接电容指的是与晶振的频率输入脚与频率输出脚串联接地的电容元件，因此外接电容又叫接地电容（对地电容）。 选择外接电容时，需要考虑电路…

2021-03-03

在无源晶振的实际电路应用中，我们不可避免的会遇到电容匹配问题。电容匹配不好，会直接导致晶振起振延迟、频偏等问题，导致电路板上电后系统可能无法正常启动。那么电容匹配到底指的是什么？该如何正确匹配？ 首先，负载电容CL不等于外接电容。 负载电容CL指的是晶振的一个内部重要电气参数。 一般情况下，对功耗不…

2021-02-25

对应MCU、或USB HUB一般需外部提供时钟信号，需要外挂一颗晶振。如何结合晶振的负载电容计算外匹配电容容值以及在晶振振荡电路设计时需注意哪些事项？ 晶振负载电容定义 晶振的负载电容是指在电路中跨接晶振两端的总的外界有效电容，是晶振要正常震荡所需要的电容如果从晶振插脚两端向振荡电路方向看进去的全部…

2021-01-07

一般晶振频偏主要发生在无源晶振的实际应用中。一旦频偏严重超差，极有可能会造成整机不上电或系统无法运行。 晶振分为无源晶振和有源晶振两种。无源晶振需要电路匹配，单体无法起振。有源晶振本身已拥有包括IC在内的一套匹配好的振荡电路，因此无需担忧频偏只需选择满足时钟芯片所需频率精度的有源晶振产品即可。 造成…

2020-12-19

晶振的起振时间是多少？ 回答：一般在10ms（毫秒）内。 组建一个完整的无源晶振振荡电路，需要考虑的主要组合参数有：封装尺寸、调整频差、温度频差、负载电容、外接电容、工作温度、激励功率及绝缘阻抗等。 在晶振电路中，最容易让初步涉及数字电路的电子工程师混淆的即是晶振的负载电容与外接电容。无源晶振的负载…

2020-12-04

（无源晶振应用电路） 在无源晶振使用中，首先是选对晶振封装尺寸及规格参数。封装尺寸是由电路板给晶振预留空间所决定，另外还有焊盘数量及尺寸。 关于晶振的主要规格参数，一般指的是晶振的频率精度与负载电容。电子设备具备什么功直接决定着对晶振精度的选择，比如蓝牙、WIFI功能，频率精度至少为±10PPM，而…

2020-11-28

单片机振荡电路中晶振电容作用是什么？ 晶振电容包括:负载电容、外接电容、杂散电容 在单片机电路应用中，晶振是不可或缺的被动电子频率元器件，它为单片机提供时钟信号源，确保芯片程序指令按照逻辑顺利完成。晶振若不能正常工作，势必导致单片机同时无法正常工作。可以说，晶振的作用非常重要。 谈及晶振的电容，一般…

2020-11-26

电路板上电后，系统反应慢或没有反应，经查验发现单片机一直没有检查到外部晶振频率信号，因为HSE Start Up Status显示一直为0。 那么，晶振是不是没有起振呢？8MHZ晶振起振慢或不起振案例原因解析如下： 电路板采用的为一颗49S 8MHz 晶振，晶振规格书显示具体参数为： 体积：11.0…

2020-11-25

晶振参数中的负载电容CL是什么？ 在晶振的振荡电路中，负载电容CL是指连接到无源晶振频率引脚终端上的电容总数。CL值取决于外部电容器CL1、CL2和杂散电容Cs。对于晶振单体而言，负载电容CL则属于它本身重要电气参数之一，由晶振制造商给出，可在晶振数据手册中找到。 负载电容CL，英文为Load Ca…

2020-07-21

中文全称：负载电容 英文全称：Load Capacitance 英文简称：CL 晶振内部的核心部件是石英晶片。 石英晶体的特性类似电感，它在加电压后会产生机械弯曲，然后在断电时弯曲产生的应力释放产生电能，这时所产生的电能在放进电容之后，就会存放起来。这时弯曲恢复成正常时，电容中的电能就会作用到晶振上…