关于无源晶振起振与停振现象的解释

关于无源晶振起振与停振现象的解释

关于无源晶振起振与停振现象,晶诺威科技解释如下:

无源晶振(晶体谐振器)的起振与停振是电路设计中需要重点关注的现象,以下是详细分析:

一、 晶振起振过程

1. 起振条件

环路增益 ≥1:振荡电路的放大环节(如反相器、晶体管)需提供足够增益,补偿晶振和电路的损耗。

相位匹配:环路总相位偏移必须为360°的整数倍(满足巴克豪森准则)。

频率匹配:电路频率需接近晶振的串联谐振频率(Fs)或并联谐振频率(Fp)。

2. 起振步骤

上电瞬态:电源接通时,电路噪声或瞬态扰动包含晶振谐振频率成分。

选频放大:晶振作为高Q值选频网络,仅允许谐振频率信号通过,其余频率被抑制。

幅度增长:信号经放大后反馈回晶振,不断循环直至达到稳态振荡(受电路非线性限幅)。

3. 关键影响因素

负载电容:需匹配晶振规格(如12pF、20pF),否则会导致频率偏移或不起振。

电路设计:如Pierce振荡电路需合理选择反馈电阻(如1MΩ)、限流电阻(如几十Ω)和放大器偏置。

晶振参数:等效串联电阻(ESR)过高或品质因数(Q值)过低会延长起振时间。

二、 晶振停振原因

1. 外部干扰

电源噪声:电压跌落或高频纹波(如DC-DC开关噪声)可能导致振荡中断。

EMI干扰:强电磁场可能耦合到晶振引脚,扰乱振荡信号。

2. 环境因素

温度突变:超出晶振工作范围(如-40~85℃)可能导致频率漂移或停振。

机械应力:振动或冲击可能损坏晶片或改变其谐振特性。

3. 电路问题

负载电容失配:PCB寄生电容或焊接不良导致实际容值偏离设计值。

放大器失效:如反相器工作点漂移,增益不足。

布局问题:晶振走线过长、靠近高频信号线或电源线,引入干扰。

4. 晶振老化或损坏

长期老化:频率随时间缓慢偏移,最终可能停振。

过驱损坏:激励功率过高(如超过晶振额定驱动电平)导致晶片破裂或电极脱落。

三、 诊断与解决措施

1. 起振问题排查

测量晶振两端电压:正常起振时应为正弦波/方波(幅值通常为电源电压的50%~70%)。

检查负载电容:用示波器探头(高阻抗×10档)观察波形,避免探头电容影响。

替换晶振或调整电路:尝试降低ESR的晶振,或调整反馈电阻/电容。

2. 停振问题处理

布局优化:缩短晶振走线,远离干扰源,用地平面包围信号线。

参数验证:用网络分析仪测量晶振阻抗特性,确认谐振点是否偏移。

3. 设计预防

选择低ESR、高Q值的晶振。

四、 典型现象示例

案例1:MCU上电后程序不运行,可能是晶振未起振,需检查反馈电阻是否开路。

案例2:设备高温环境下偶发重启,可能是晶振温度特性不良,需更换宽温晶振型号。

电话:0755-23068369