无源贴片晶振静电容一般有多大？

答：晶诺威科技产贴片晶振静电容C0（ Shunt Capacitance ）目前不超过3pF。

举例：

32MHz无源贴片晶振SMD2016系列静电容C0测试数据如下：

8MHz无源贴片晶振SMD3225系列静电容C0测试数据如下：

拓展阅读：

什么是 C0？

C0，也称为并联电容或静态电容，是石英晶体谐振器两个电极之间、在封装外壳内部形成的物理寄生电容。

您可以把它想象成：把石英晶片拿掉，只剩下两个金属电极、引线和封装结构时，它们之间所固有的电容。它主要由以下部分构成：

• 晶片两面的金属镀层（电极）构成的平行板电容。

• 电极的引线、支架和外壳引脚之间的分布电容。

C0 与晶体的压电效应和谐振无关，它纯粹是一个由物理结构决定的“寄生”参数。如果 C0 过大，可能会使电路难以起振或需要更大的环路增益，因此该值越小越好。

典型值范围

• kHz 频段（音叉晶体，如 32.768kHz）：C0 较小，通常在 1.0 – 2.5 pF 左右。

• MHz 频段（AT切基频晶体，如 1-50MHz）：C0 典型值在 1 – 7 pF 之间，常见的是 2 – 5 pF。

• MHz 频段（AT切三次泛音晶体，如 50-150MHz）：由于电极面积更小，C0 会更低，通常在 1 – 3 pF 左右。

注意：具体值必须查阅晶体的数据手册。