如何通过晶振选型及电路应用来优化晶振性能?

如何通过晶振选型及电路应用来优化晶振性能?

如何通过晶振选型及电路应用来优化晶振性能?晶诺威科技解释如下:

如何通过晶振选型及电路应用来优化晶振性能?晶振频率

不同的产品领域会用到晶振的不同频点(标称频率),选择正确的晶振频率是晶振性能保障的第一步。在晶振选型阶段,需要注意的是如果频率设定过高或者过低,都有可能影响整个电路的工作效果。

如何通过晶振选型及电路应用来优化晶振性能?晶振频率精度

在指定工作温度及理想电路工作状态下,晶振实际输出频率与标称频率的偏差程度。常见精度为:±10ppm~ ±30ppm。若需要±10ppm的晶振,请选择±10ppm,因为达不到这个精度的晶振,针对于您的电路板可能不能用。 当然,若您需要的是±30ppm的晶振,就可以选择频率精度在±10ppm~ ±30ppm的晶振。

如何通过晶振选型及电路应用来优化晶振性能?晶振工作电压

需要注意的是这里针对的是有源晶振,而不是无源晶振(因为无源晶振没有电压这个指标)。有源晶振的工作电压一般在1.8-5V之间,与电路不匹配的电压不仅影响晶振的性能,更容易损坏晶振器件。

如何通过晶振选型及电路应用来优化晶振性能?晶振工作温度

晶振的工作温度大致可以分为四个等级:消费类(-20~70℃),工业级(-40~85℃/105℃),车规级(-40~125℃),军工级(-40/-55~150℃),为了更好的优化晶振的性能,我们应选择合适的晶振等级,来实现最优性能的电路

如何通过晶振选型及电路应用来优化晶振性能?晶振匹配电容

电容匹配主要指的是无源晶振的电路应用。精准无误的电容匹配,能让无源晶振发挥出更稳定的功效。根据晶振的负载电容CL及电路板杂散电容的大小,选用不同容值的外接电容(起振电容/对地电容/匹配电容)。当晶振实际输出频率较高时,则需要选取小容值的外接电容器;反之,当晶振实际输出频率较低时,则需要选取大容值的外接电容器。

如何通过晶振选型及电路应用来优化晶振性能?晶振电路设计

尽量缩短晶振与芯片及电容之间的连线距离。过长的连线会增加电路的噪声和不稳定性。布板时需注意严格按照晶振与芯片及电容的布局规则进行设计。这样可以保证电路的精准性和稳定性。

电话:0755-23068369