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差分晶振焊盘功能解释
(差分晶振焊盘范例) Pad 1:Output Enable/Disable (Pad 1 low, device disabled)输出使/能功能 Pad 2:No connect 不连接 Pad 3:Ground (GND) 接地 Pad 4:Output 输出 Pad 5:Output* 输…时间:2025/06/04 -
48MHz HCMOS 有源晶振5V全尺寸FULL SIZE DIP14
(晶诺威科技产全尺寸FULL SIZE DIP14尺寸及引脚说明) 关于48MHz HCMOS 有源晶振5V全尺寸FULL SIZE DIP14,晶诺威科技介绍如下: Frequency标称频率:48MHz Voltage Supply供电电压:5V Package 封装尺寸:FULL SIZE D…时间:2025/06/02 -
245.760MHz VC-TCXO压控温补晶振Sinewave正弦波输出
(晶诺威科技产VC-TCXO-PXO14压控温补晶体振荡器测试电路范例:CMOS/SINE WAVE) 关于245.760MHz VC-TCXO压控温补晶振Sinewave正弦波输出,晶诺威科技介绍如下: Parameter Min Typ. Max Unit Condition Frequency…时间:2025/06/01 -
180MHz Crystal Oscillator晶体振荡器CMOS Output
(晶诺威科技产 Crystal Oscillator晶体振荡器OSC3225封装尺寸及引脚说明) 关于180MHz Crystal Oscillator晶体振荡器CMOS Output电气参数,晶诺威科技介绍如下: 电气参数详情: Parameter Min Typ. Max Unit Condit…时间:2025/05/31 -
负载电容CL=12pF 8MHz晶振(SMD3225)测试数据及温测数据
(晶诺威科技产8MHz无源贴片晶振SMD3225-4P尺寸及内部电路连接图) 晶诺威科技产负载电容CL=12pF 8MHz晶振(SMD3225)主要电气参数如下: Nominal frequency标称频率: 8MHz Mode of oscillation振荡模式: fundamental基频 L…时间:2025/05/28 -
关于晶振的等效串联电阻和谐振串联电阻的区别
关于晶振的等效串联电阻和谐振串联电阻的区别,晶诺威科技解释如下: 晶振的等效串联电阻(ESR,Equivalent Series Resistance)和谐振串联电阻(Rs)是描述晶振性能的重要参数,二者密切相关但存在区别。以下是详细解释: 1、 等效串联电阻(ESR) 定义:ESR 是晶振在谐振频…时间:2025/05/28 -
有源晶振五个关键电气参数解释
关于有源晶振五个关键电气参数,晶诺威科技解释如下: 1、Supply Voltage 指:供电电压 如: 1.8V、2.5V、3.3V、5V等 另外,还存在宽压供电系列,如:1.8~3.3V、3.3V~5V等。 2、Frequency Temperature Stability 指:在指定工作温度范…时间:2025/05/24 -
晶体谐振器动态电容C1的大小对频偏有什么影响?
体谐振器动态电容C1的大小对频偏有什么影响? 答:晶体谐振器的动态电容(C1)是影响其频率稳定性和频偏(频率偏移)的关键参数之一。它与晶体的等效电路模型密切相关。 (动态电容C1测试数据:SMD3225无源贴片晶振8MHz 10pF ±20ppm) 关于晶体谐振器动态电容C1的大小对频偏的影响,晶…时间:2025/05/23 -
负载电容CL=8pF 8MHz晶振(SMD3225)测试数据及温测数据
(晶诺威科技产8MHz无源贴片晶振SMD3225-4P尺寸及内部电路连接图) 晶诺威科技产负载电容CL=8pF 8MHz晶振(SMD3225)主要电气参数如下: Nominal frequency标称频率: 8MHz Mode of oscillation振荡模式: fundamental基频 Lo…时间:2025/05/22 -
25.6MHz TCXO温补晶振 DSB221SDN 1XXB25600MAA规格参数
关于25.6MHz TCXO DSB221SDN 1XXB25600MAA规格参数,晶诺威科技介绍如下: 主要参数: NOMINAL FREQUENCY 标称频率:25.6MHz TYPE 类型:TCXO温补晶振 MODEL NAME型号: DSB221SDN SPEC NO. 晶振料号:1XXB2…时间:2025/05/21
