晶振知识
  • Sine wave正弦波与Clipped Sine Wave削峰正弦波
    2022-11-11
    Sine wave of 8MHz Sine wave正弦波与Clipped Sine Wave削峰正弦波对比如下: 所有无源晶振都是正弦波Sine Wave输出,也是晶振的默认输出波形。削峰正弦波Clipped Sine Wave是通过限制信号的输出来防止到达最高点或最低点,在不衰弱相位噪声性能的…
  • 正弦波振荡器及振荡电路工作原理
    2022-11-10
    振荡器 振荡器是一种不需外加信号激励而能自动将直流能量变换为周期性交变能量的装置。从能量的观点看,放大器是一种在输入信号控制下,将直流电源提供的能量转变为按输入信号规律变化的交变能量的电路,而振荡器是不需要输入信号控制,就能自动地将直流电源的能量转变为特定频率和幅度的交变能量的电路。 振荡电路 振荡…
  • DSA321SDN 1XTV12800PAA 压控温补晶振12.8MHz规格参数说明
    2022-11-09
    1XTV12800PAA VC-TCXO压控温补晶振12.8MHz主要电气参数 Device Name 晶振名称:VC-TCXO 品牌:KDS TYPE 晶振类型: DSA321SDN Size 尺寸:3.2mm*2.5mm SPEC No. 料号: 1XTV12800PAA NOMINAL FRE…
  • DSB221SDN 1XXB12288MCA温补晶振12.288MHz 数据详情
    2022-11-09
    ±0.5PPM TCXO2520温补晶振12.288MHz 1XXB12288MCA主要参数如下: Device Name名称: 温补晶振TCXO2520 Nominal Frequency标称频率: 12.288MHz Size尺寸: 2.5mm*2.0mm Model Name型号: DSB22…
  • X2C040000BC1HC-HZ 40MHz HSX211S加高晶振规格参数
    2022-11-08
    X2C040000BC1HC-HZ 40MHz HSX211S加高晶振主要电气参数如下: 标称频率:40.000000MHz 尺寸:2.0*1.6mm 振荡模式:基频 负载电容:12PF 调整频差:±10ppm 温度频差:±10ppm 工作温度:-40~+85℃ 激励功率:150μW 等效阻抗:24…
  • 8MHz有源晶振SMD3225规格与电气参数
    2022-11-08
    晶诺威科技8MHz有源晶振SMD3225规格与电气参数介绍如下: 1.Description 产品描述: Crystal Oscillator 晶体振荡器 2.Nominal Frequency 标称频率: 8.000000MHz 3.Dimension 尺寸: 3.2 × 2.5mm 8MHz有源…
  • 贴片晶体振荡器内部结构及材质说明
    2022-11-07
    晶诺威科技贴片晶体振荡器内部结构及材质说明如下: NOTES: 1、Base基座:Ceramic/Al2O3 2、Lid上盖:Fe- Ni -Co 3、Kovar合金材质:Fe-Ni-Co 4、Crystal Blank石英晶片:SiO2 5、Electrode电极:Ag 6、Connective …
  • 关于晶振储存温度的说明
    2022-11-05
    通常,我们可以在晶振规格书中找到“储存温度范围”这个指标,如下: 储存温度范围(Storage Temperature Range) -40℃ ~±85℃或-55℃~ ±125℃ 晶诺威科技具体建议如下: 1、晶振低温储存(Storage in Low Temperature): -40℃±2℃, …
  • 晶振的10个关键参数是什么?
    2022-11-04
    关于晶振的10个关键参数,晶诺威科技归纳如下: 1、工作频率 晶振的频率范围一般在1到125MHz之间。但也有诸如通用的32.768kHz钟表晶体那样的特殊低频晶体。工作频率一般按工作温度25°C时给出。 2、频率精度:1PPM=1/1,000,000 频率精度也称频率容限,该指标度量晶振实际频率于…
  • 晶体振荡器/Oscillator性能和术语
    2022-11-02
    晶体振荡器/Oscillator性能和术语汇总如下: 标称频率:晶体振荡器的中心频率或标称输出频率。 频率公差:室温下(25°C ±5°C)与标称频率的偏差(以PPM表示)。 频率范围:振荡器可以提供的频带。 频率稳定性:与温度25°C时测得的频率相比,即0°C至+70°C的最大允许频率偏差。 时钟…
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