关于晶振电容匹配及晶振电路设计注意事项总结如下：  电容匹配-----负载电容是指晶振要正常振荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑IC输入端的对地电容。 负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。它是一个测试条件，也是一个使用条件…

时间：2022/03/24

一般STM32的时钟源有两种主时钟方案，一个是依靠内部RC振荡器的HSI（内部高速时钟），另一个是HSE（外部高速时钟）。 内部高速时钟源HSI HSI英文全称：HIGH-SPEED INTERNAL OSCILLATOR 一般情况下，内部HSI都会在ST出厂时已校准，但是精度不高，在0到70℃下误…

时间：2022/03/23

晶振不起振的三个实际案例分析及解决方法如下： 1、32.768KHz晶振频率精度不够或与电路匹配不佳，会直接影响主板系统时钟的准确性，出现时钟走不准的问题。而对于一些主板，如开机系统诊断需要32.768KHz正常起振作为参考，32.768KHz晶振不起振则会导致主板不上电或上电后全板无复位。 建议遇…

时间：2022/03/23

晶振不起振导致系统不工作案例分析如下： 涉及晶振类型: 无源晶振 不良现象： 系统偶发性停止，且不良现象具有重现性。 初步分析： 晶振外接电容与负载电容不匹配，导致晶振不起振，从而引发系统不工作。 测试及分析过程： 首先万用表测量AD输出引脚（串行输出，连接MCU），AD输出端没有转换完成信号（一个…

时间：2022/03/21

为什么有时晶振外壳需要接地？ 一般涉及晶振外壳接地问题的主要是指两个引线的无源晶振：圆柱体晶振和49S晶振。在绝大部分情况下，不建议晶振金属外壳接地。但也有例外，举例如下： 案例： RTC实时时钟芯片出现时钟不准问题，特别是在系统上电工作时时钟跑的比较快，1个小时快十几秒，但在采用备用电池供电时误差…

时间：2022/03/08

由石英晶片点胶不良可能引发晶振故障/停振原因解析如下： 晶片点胶区域不良如下： 点胶面积过小放大图如下： 晶片导电胶的作用主要为： 1、 实现石英晶片与金属支架之间的牢固连接 2、 实现晶片镀银层与基座之间的电流正常导通 因此可见，若导电胶本身性能不良，如固着性能差，则可能导致晶片在自身振荡条件之下…

时间：2022/03/03

引发晶振电阻跳变原因之一：晶片制程不良 1、晶片不良区域 2、晶片不良区域经更大倍数放大后，显示边缘残缺。 分析及结论： 石英晶片是石英晶振的核心部件，当晶振（包括石英晶片）制程发生不良，如出现晶片残缺、晶片平滑度不达标、镀银前晶片洁净度不达标、镀银工艺不达标、镀银后晶振内部洁净度不达标（其中包括微…

时间：2022/03/02

首先，晶振分为无源晶振和有源晶振两大类，它们在电路应用中存在差异。一般情况下，检查晶振有没有起振主要发生在无源晶振的应用方面。 晶振无时钟信号输出 1、无源晶振具备两个管脚：频率输入脚与频率输出脚。若无源晶振已经起振，说明这两个管脚之间必然存在电压差，这样才会有流经的电流对晶片产生激励功率。但是，我…

时间：2022/03/01

针对晶振不良品（5pcs）温测（-40℃~125℃），数据显示在指标内不同低温段及高温段，晶振出现频率跳变及/或电阻跳变现象： 针对晶振不良品开盖观测，发现石英晶片表面附着异物，如下图所示：   石英晶片表面附着异物放大图： 关于晶振电阻跳变问题，晶诺威科技分析如下： 引发晶振频率跳变及/…

时间：2022/02/28

  在无程序或程序错误条件下晶振会起振吗？ 答：在无程序或程序错误条件下，单片机外部晶振不会起振，即：不会工作。 程序与外部晶振的工作关系解析如下： 通电开机后，当系统从内部时钟源切换到由晶振提供的更为精准的外部时钟源时，单片机硬件会通过程序尝试对外部晶振两端施加电压（如：提供激励功率（D…

时间：2022/02/24