技术支持

  • 晶振在硬件系统中的位置选择
    由于影响晶振短期稳定性的主要因素是温度变化,在设计通盘布局的考虑下,尽量避免将晶振位置靠近机箱外壳或靠近温变较大的部件如风扇,还应该远离大功率射频器件如射频功放。 在振动或存在加速度变化的环境下,还应该考虑晶振的受力,确保应力分布均匀,并采取有效缓冲等减振措施。   总之,将晶振放置在离P…
    时间:2021/09/10
  • RTC晶振32.768KHz频率温漂公式及频率温漂曲线
    首先需要说明的是“温漂”属于石英晶体本身的物理特性。 RTC晶振32.768KHz随着工作温度变化而产生的相应频率变化可以用一个二阶方程来近似表示: 其中: f0是标称频率(32.768 KHz) T0是标准温度(25°C) k是石英晶体的抛物线系数(典型值为0.04PPM/摄氏度²) T是环境温度…
    时间:2021/09/10
  • 晶振的相噪与抖动Phase Noise and Jitter
    晶振的相噪与抖动Phase Noise and Jitter解释如下: 一个晶振在某一偏移频率处的相位噪声定义为在该频率处1 Hz带宽内的信号功率与信号总功率比值。 定义相位噪声是从能量角度来说的,指单位带宽内的功率与总信号功率的比,单位是dBc/Hz,所谓的单位带宽,是指偏离理想频点的单位带宽。 …
    时间:2021/09/09
  • 晶振的频率稳定度,频率精度,长期稳定度的主要区别是什么?
    通常人们说的晶振稳定度(Frequency Stability)指的是温度稳定度,即温度频差,因为温度稳定度是衡量晶振短期稳定性的最主要的指标。比如: 温度频差:±10ppm~ ±30ppm 工作温度(°C):-20~+70,-40~+85 频率精度(Frequency Tolerance),即调整…
    时间:2021/09/09
  • 有源晶振输出波形(LV)TTL,(H)CMOS,(P)ECL,LVDS,Clipped Sine Wave的主要区别是什么?
    有源晶振输出波形(LV)TTL,(H)CMOS,(P)ECL,LVDS,Clipped Sine Wave的主要区别如下: 通常,方波输出功率大,驱动能力强,但谐波分量丰富;正弦波带载能力不如方波,但谐波分量小。 TTL(Transistor-Transistor Logic): Vcc:5V;VO…
    时间:2021/09/09
  • 无源晶振与有源晶振晶振主要输出波形对比
    无源晶振与有源晶振晶振主要的输出波形对比如下:   1、无源晶振输出波形为:Sine Wave(正弦波) 2、常规OSC有源晶振输出波形为方波(CMOS):包括HCMOS、LVCMOS等。HCMOS(H:High,是“高”的意思)指3.3V及以上,LVCMOS(LV:Low Voltage…
    时间:2021/09/09
  • 劣质不合格晶振参数异常及对电路影响(含晶振不良品解剖图)
    晶振的一些参数并非固定绝对值,大部分会随工作温度、杂散电容、激励功率等参数的变化而发生变化,在这种情况之下,合格的晶振会保持在正常频率范围内工作,不会造成芯片接收时钟信号的任何异常,但劣质不合格晶振则不同。 不合格劣质晶振产生原因:制程不达标,造成晶振内部存有杂质(如灰尘、银屑、水蒸气等)、镀银偏离…
    时间:2021/09/08
  • EPSON:TCXO及VC-TCXO压控温补晶振:TG-5006CE,TG-5035CE与TG3225CE系列规格参数
    Epson爱普生TCXO3225温补晶振规格选择主要为三款:TG-5006CE,TG-5035CE与TG3225CEN。这三款晶振的最显著区别是TG-5006CE和TG-5035CE为Clipped Sinewave(削峰正弦波)输出,而TG3225CEN则为 CMOS输出。 TG-5006CE(T…
    时间:2021/09/08
  • CMOS输出:OSC2520有源晶振25MHz和50MHz电气参数及测试数据
    OSC2520有源晶振25MHz主要电气参数 品名:OSC2520 25MHz 类别:有源晶振 负载:15PF 额定电压:3.3V 调整频差: ±20PPM 温度频差: ±20PPM (-40℃~+85℃) 工作温度:-40℃~+85℃ 输出模式:CMOS OSC2520有源晶振25MHz 3.3V…
    时间:2021/09/08
  • SMD3215无源晶振,FC-135与OSC3215有源晶振介绍
    SMD3215/FC-135晶振分为无源和有源两大类。 SMD3215/FC-135无源晶振规格参数 SMD3215无源晶振为最常规RTC时钟贴片晶振,标称频率为32.768KHz,2 PIN,常见负载电容为12.5PF,7PF及6PF, 焊盘为两个,精度为±20PPM。其中3215指的是封装尺寸(…
    时间:2021/09/08
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