2025-08-09

晶振负载电容大小有什么区别？ 晶振的负载电容（Load Capacitance，通常表示为CL）是影响其工作频率稳定性和起振可靠性的关键参数。负载电容的大小选择不同，会带来以下区别： 1、 对频率稳定性的影响 负载电容过大： 会导致晶振的实际振荡频率偏低（电容增大，等效容抗降低，振荡回路时间常数增加…

2025-01-13

无源晶振频偏需要调整输入电容还是输出电容？ 答：建议两个电容等值调整，即：如果频偏为正向，电容等值上调；如果频偏为负向，电容等值下调。等值调整的目的是确保频率输出的稳定性。

2024-09-23

晶振外接负载电容范围一般是多少pF？ 答：外接负载电容通常指的是无源晶振的两个匹配电容，其选值范围分别为6pF~33pF。一般等值选取。 注： 如果外接电容选择错误，可能造成晶振起振困难、不起振或频偏超差。因此，在常见的无源晶振应用电路中，匹配电容的选取非常关键。

2024-09-09

（该芯片推荐晶振负载电容为：最小值5pF，典型值7pF，最大值9pF） 关于芯片对晶振外接匹配电容的配置要求，需要仔细阅读芯片手册相关内容。 举例：某款芯片对晶振外接电容配置说明如下： On-chip default connected capacitance including reference…

2024-08-14

温度变化对晶振外接电容有哪些影响？ 答：温度变化（尤其是温度升高）会对其外接电容容值（CL1&CL2）大小造成影响。若其容值受热增大时，可能造成晶振起振困难或不起振。建议选择NPO型电容。 通常情况下，电容器的容值在温度升高时会减小，在温度降低时会增加。 这是由于电容器内部材料的性质在不同温…

2024-06-28

（测试：处于+15ppm工作状态的24MHz晶体谐振器） 关于JL7012A杰里蓝牙芯片专用低功耗射频晶振24MHz规格参数，晶诺威科技介绍如下： 标称频率Nominal Frequency：24MHz 封装类型 Holder Type：SMD 3.2*2.5 振动模式 Vibration Mode…

2024-06-16

STM32F405RGT6接8MHz晶振采用多大电容？晶诺威科技解释如下： For CL1 and CL2, it is recommended to use high-quality external ceramic capacitors in the 5 pF to 25 pF range (t…

2024-06-02

关于无源晶振电路中外接电容CL1和CL2的选取，晶诺威科技解释如下： 英文解释： For CL1 and CL2,it is recommended to use high quality ceramic dielectric capacitance (typically) between 5pF …

2023-12-03

无源晶振内部有电容吗？ 答：无源晶振内部没有电容。 晶诺威科技产两脚无源晶振及四脚无源晶振内部电路图如下：

2023-07-14

晶振过驱的后果是什么？ 答：晶振过驱将加速晶振接触电镀的消耗，因此引起频率上升，并最终导致晶振提前失效。 关于晶振电路中的电阻与电容 与晶振串联的电阻Rd（一般为几十Ω），常用来预防晶振过驱。 并联在晶振上的两颗电容（一般在12~33pF之间，具体请参考晶振本身负载电容及电路板杂散电容值）主要用于微…