关于晶振发烫问题，晶诺威科技解释如下： 晶振分为无源晶振和有源晶振两大类如上图所示，其应用电路如下： 无源晶振发烫 排除工作环境温度对其的影响，最可能出现的情况是芯片对晶振提供的激励功率过大，导致了过驱。晶诺威科技建议通过调整（增大）串联电阻来降低激励功率（Drive level）。 有源晶振发烫 …

时间：2023/11/26

（晶诺威科技产38KHz无源晶振并联10MΩ反馈电阻电路） 无源晶振电路是并联1MΩ电阻还是10M电阻？ 答：晶诺威科技建议MHz无源晶振并联1MΩ电阻，而KHz无源晶振并联10MΩ电阻。 （晶诺威科技产8MHz无源晶振并联1MΩ R2反馈电阻电路） 注：该电阻为无源晶振电路的RF反馈电阻，建议保留…

时间：2023/11/19

晶振测试项目都有哪些？ 晶振性能参数测试的目的是通过评估晶振的各项指标，确保其满足设计要求。关于关键性能参数测试方法，晶诺威科技介绍如下： 1、负载电容测试 负载电容是晶振在特定电路条件下的电容负载。测试负载电容时，需要使用LCR表测量晶振两端的电容值，确保它与设计规格相符。 2、驱动电平测试 驱动…

时间：2023/09/30

如何检测晶振过驱？晶振过驱怎么办？晶诺威科技建议如下： 晶振过驱测量方法 给电路板正常通电后，借助示波器来检测晶振频率输出脚： 如果检测到非常清晰的正弦波，且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要，则晶振未被过分驱动； 如果正弦波形的波峰，波谷两端被削平，而使波形成为方形，则晶振被过分驱动。这时就…

时间：2023/08/15

  （正常的AT-cut晶体温频曲线） （不正常的AT-cut晶体温频曲线） 晶振过驱的后果是什么？ 答：晶振过驱将加速晶振接触电镀的消耗，因此引起频率上升及不稳定，并最终导致晶振提前失效。 关于晶振电路中的电阻与电容 与晶振串联的电阻Rd（一般为几十Ω），常用来预防晶振过驱。 并联在晶振…

时间：2023/07/14

关于温度和电压变化引发的晶振电路不稳定问题（Temperature and Voltage Issues），晶诺威科技解释如下： The circuit should be tested over the entire temperature and voltage range in which i…

时间：2023/06/08

激励功率过大会对晶振造成什么影响？ 答：激励功率直接影响着晶振的起振速度,比如：若激励功率偏小,晶振会起振慢；若激励功率过大，晶振起振会快，但内置石英晶片可能因过驱而损坏,结果是不稳定或停振。 举例：关于晶诺威科技产无源贴片晶振SMD1612电气参数中的激励功率指标，如下图所示：

时间：2023/05/28

（晶诺威科技SMD1612贴片无源晶振激励功率） 注： 激励功率：10μW 激励功率最大值：100μW 激励功率过大对晶振造成的影响是什么？ 答：激励功率（Drive Level）过大会导致无源晶振使用寿命缩短，严重时导致晶振停振。 解释如下： 激励功率属于无源晶振（晶体谐振器）本身的一个重要电气参…

时间：2023/04/18

关于无源晶振频率不对的原因，分析如下： 与有源晶振相比，一般情况下无源晶振在实际应用中出现问题的可能性较大，其输出频率不对的主要原因分为晶振本身（如内部晶片损坏，导电胶断裂、内部污染或阻抗过大等）和电路原因（负载电容匹配不当，杂散电容过大等）。 无源晶振指所有谐振器系列，内部没有独立的起振电路，需要…

时间：2023/04/03

选择MCU无源晶振及外部器件的简易指南，介绍如下： 第一步：增益裕量(Gainmargin)计算 选择一个晶振(参考MCU的数据手册确定晶振的频率)。 计算晶振的增益裕量(Gainmargin)并检查其是否大于5。 如果Gainmargin <5，说明这不是一个合适的晶振，应当再挑选一个低ES…

时间：2023/02/17