2025-08-09

晶振负载电容大小有什么区别？ 晶振的负载电容（Load Capacitance，通常表示为CL）是影响其工作频率稳定性和起振可靠性的关键参数。负载电容的大小选择不同，会带来以下区别： 1、 对频率稳定性的影响 负载电容过大： 会导致晶振的实际振荡频率偏低（电容增大，等效容抗降低，振荡回路时间常数增加…

2024-05-18

低负载电容的晶振能代替高负载电容的晶振吗？ 答：不能。 一般情况下，低负载意味着低功耗，驱动级别低。因此，如果用低负载电容的晶振代替高负载电容的晶振，如CL=6pF代替CL=20pF，可能造成晶振频偏超差或过驱，造成系统相关功能失效。 晶诺威科技产低负载低功耗晶振SMD1612规格参数如下：

2023-03-03

32.768kHz的无源晶振内部没有独立起振电路，需要精准的匹配外部电容才可以输出正确时钟信号。 负载电容(CL)是必选参数之一。如果晶体两端的等效电容和标称负载电容存在差异，晶体输出的频率将会和标称工作频率产生偏差，叫做频偏。所以，电路匹配电容CL1 与CL2加上电路的杂散电容Cstray（Cpc…