激励功率驱动级别

  • 晶振10uW和100uW有什么区别?
    晶振10uW和100uW有什么区别? 首先,这是针对无源晶振(晶体谐振器)的一个关键性电气参数,指的是晶振的激励功率,其单位是uW(即微瓦)。 简单来说,10uW的晶振比100uW的晶振更省电,功耗仅为后者的十分之一。换句话说,10uW的晶振仅需要芯片为其提供10uW的电流就能起振,而100uW的晶…
    时间:2025/11/22
  • 关于晶振DLD不良的解释
    关于晶振DLD不良问题,晶诺威科技解释如下: 晶振DLD不良通常是指晶振在测试或使用过程中出现“驱动电平依赖性”(Drive Level Dependency,DLD)问题。DLD是晶振的一个重要参数,表示晶振的输出频率或特性随驱动电平的变化而变化。如果DLD不良,可能会导致晶振的频率稳定性变差,影…
    时间:2025/04/22
  • 晶振激励功率调整电阻位于“in”还是“out”?
    晶振激励功率调整电阻位于“in”还是“out”? 答:调整电阻位于晶振电路的“out”端。 如下图(REXT位置)所示:
    时间:2025/02/16
  • 低功耗晶振具备两个特点:低负载及低阻抗
    低功耗晶振具备两个特点:低负载及低阻抗 以最小能量实现可靠的振荡许多小型电池供电的设备基于“片上系统”(SoC)组件,在这些应用中,功耗是关键因素。 如今,低功耗通常通过使用较低的工作电压来实现,但这对石英晶振电路的振荡可靠性产生了负面影响。为了弥补这一影响,开发人员必须仔细选择组件并进行最佳电路匹…
    时间:2024/11/04
  • 晶振功耗过大解决办法有哪些?
    (无源晶振SMD2016电气参数) 晶振功耗过大解决办法有哪些? 答:一般情况下,晶振体积越小,功耗越小。 如果是有源晶振应用方案,直接选择低功耗有源晶振系列就好了。如果是无源晶振方案,建议选择低负载(CL)及低等效电阻(ESR)。 (有源晶振OSC7050电气参数) 晶诺威科技详解如下: 1、在有…
    时间:2024/08/26
  • 25MHz晶振输出串联电阻是多大?
    25MHz晶振输出串联电阻是多大? 答:在无源晶振电路实际应用中,如果不存在晶振被芯片过驱问题,一般情况下不需要增加串联电阻。 关于晶振的等效串联电阻和(电路中)串联电阻的区别 等效串联电阻(ESR): 无源晶振本身电气参数之一(意思是:相当于在电路中串联了一个电阻的大小),该值的大小因晶振封装尺寸…
    时间:2024/07/19
  • 晶振是否需要串联电阻?
    晶振是否需要串联电阻? 答:32.768KHz无源晶振电路不需要串联电阻;MHz无源晶振电路,只有在过驱(激励功率过大)的情况下才串联几十Ω的电阻。在没有过驱的情况下,也无需串联电阻。 如下图所示: 32.768KHz晶体谐振器与8MHz晶体谐振器典型振荡电路  
    时间:2024/07/02
  • 无源晶振输出的正弦波波峰被削平是什么原因?
    无源晶振输出的正弦波波峰被削平是什么原因?晶诺威科技解释如下: 理想的振荡器能保持频率长时间稳定,无频率变化,输出波形为清晰的正弦波输出。 当使用示波器检测无源晶振频率输出脚时,检测到非常清晰的正弦波,且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要,则晶振未被过分驱动; 相反,如果检测到无源晶振输出的正…
    时间:2024/04/28
  • 晶振为什么不起振?
    晶振为什么不起振?晶诺威科技归纳五点如下: 1、晶振内部晶片破损或内部短路; 2、晶振电阻(ESR)超差; 3、晶振引脚接错或短路; 4、晶振频率选择错误或精度不够; 5、晶振负载选错,包括晶振负载CL及外接匹配电容选错; 6、MCU故障; 7、晶振工作温度超差; 8、晶振电路遭受干扰; 9、激励功…
    时间:2024/04/15
  • 低电源设计会对振荡器产生什么影响?
    低电源设计会对振荡器产生什么影响? 低电源设计对振荡器的影响主要体现在高频振荡器(OSCILLATOR)的设计上。这主要带来两个问题: 在设计高频OSCILLATOR时,可能会面临放大器低的高频增益及高的CRYSTAL等效电阻(ESR)。也就是说,低电源设计可能使得振荡器在高频下的性能受到影响,可能…
    时间:2024/03/06
电话:0755-23068369