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选择MCU无源晶振及外部器件的简易指南
选择MCU无源晶振及外部器件的简易指南,介绍如下: 第一步:增益裕量(Gainmargin)计算 选择一个晶振(参考MCU的数据手册确定晶振的频率)。 计算晶振的增益裕量(Gainmargin)并检查其是否大于5。 如果Gainmargin <5,说明这不是一个合适的晶振,应当再挑选一个低ES…时间:2023/02/17 -
关于无源晶振SMD3215-32.768KHz激励功率取值问题
关于无源晶振SMD3215-32.768KHz激励功率取值问题,解释如下: 一般情况下,与AT切MHz晶振相比,音叉式KHz晶振对驱动功率要求很低。针对无源晶振SMD3215-32.768KHz激励功率(DRIVE LEVEL),我们推荐激励功率为0.1~0.2uW。原则上不可超过1.0uW。为了保…时间:2023/02/15 -
常见晶体谐振器激励功率汇总(Drive level Typical及Maximum)
(晶体谐振器SMD2016激励功率Drive level Typical及Maximum) 谈及激励功率,我们通常指的是晶体谐振器(无源晶振)的一个重要电气参数。其要求是既要保证晶体正常起振,但又不能使之过驱。在晶体谐振器数据手册中,激励功率这个参数都会有明确标注。激励电流测试位置如下图所示: 常见…时间:2022/12/07 -
关于晶体谐振器电路应用三个常见误区
关于晶体谐振器电路应用三个常见误区,晶诺威科技为您整理如下: Drive level 驱动电平 Applying excessive drive level to the crystal units may cause deterioration of characteristics or dama…时间:2022/10/15 -
关于晶振启动电流的解释
开头必须再次说明:晶振分为无源晶振(晶体谐振器/晶体)和有源晶振(晶体振荡器)两种。在晶振这个频率控制元件领域,我们对“启动电流”分别有专业叫法。解释如下: 针对无源晶振 在无源晶振电路应用中,晶振最基本工作原理是芯片为其提供足够大的电流,供其起振。这个“启动电流”一般我们不以电流单位(如毫安)表述…时间:2022/09/28 -
如何识别晶振的频率?
晶振的主要参数有标称频率(Nominal Frequency)、老化率(Aging)、调整频差(Frequency Tolerance)、频率稳定度(Frequency Stability)、温度范围(Operating Temperature)、等效阻抗(Equivalent Series Res…时间:2022/08/08 -
无源晶振起振三要素
作为数字电路中最常见频率器件,无源晶振属于被动频控元件。 无源晶振电路工作原理 无源晶振电路的工作原理是利用晶体的压电效应和共振效应。当外加电压作用于晶体时,晶体会产生机械振动,这种振动会产生电荷,从而形成一个稳定的振荡信号。这个振荡信号经过放大就成为了单片机的时钟信号。 无源晶振起振条件 在IC(…时间:2022/08/03 -
晶体谐振器/无源晶振工作电流及激励功率
激励功率(激励电平)的大小直接影响石英谐振器(晶体/晶体谐振器)的性能,一般电流取值在范围在70μA~100μA为佳;用激励功率表示时,一般取值范围在10μW~100μW为最佳。 电路设计时,一定要严格控制石英谐振器在规定的激励功率下工作,以便充分发挥石英谐振器的正常性能。激励电流测试位置如下:时间:2022/08/01 -
不同封装尺寸晶体/无源晶振的激励等级参考
晶诺威科技不同封装尺寸晶体/无源晶振的激励等级建议参考值如下: 49S/49SMD无源晶振: 100uW Typical (500uW Max.) 49U无源晶振: 100uW Typical (500uW Max.)。49U晶振产品图如下: SMD无源贴片晶振MHz: 10uW Ty…时间:2022/07/04 -
无源晶振起振电路设计:C0/C1,CL及RR说明
无源晶振起振电路设计:关于C0/C1, CL及RR说明如下: C0/C1对晶体稳定性的影响 晶体(无源晶振)的静态电容C0和动态电容C1大小,与晶片电极面积大小(体积大小)成正比,不同厂家设计C0也有差异。 同一频率C0/C1的不同会影响振荡电路的稳定性: C0/C1大,频率上升到标称频率前电抗变大…时间:2022/07/01
