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晶振的起振电容放在靠近芯片侧还是晶振外侧?
晶振的起振电容放在靠近芯片侧还是晶振外侧? 起振电容应该放在晶振的外侧(即靠近晶振引脚一侧),并且尽量贴近晶振摆放,而不是靠近芯片侧。这是PCB设计中关于晶振布局的明确原则,目的是最小化关键信号路径的长度和环路面积。多个技术资料都强调了这一点。简而言之,顺序是:芯片 → 起振电容 → 晶振。晶振是核…时间:2026/08/14 -
示波器探头电容会影响晶振起振吗?
示波器探头电容会影响晶振起振吗? 答:会的。示波器探头电容确实会影响晶振起振,严重时甚至会导致停振。 为什么会有影响? 这主要是因为晶振电路对负载电容非常敏感。无源晶振需要精确的外部负载电容才能稳定工作在标称频率上,这个值通常在10pF到30pF之间。而示波器探头本身带有输入电容,当它接触到晶振引脚…时间:2026/08/12 -
无源贴片晶振静电容一般有多大?
无源贴片晶振静电容一般有多大? 答:晶诺威科技产贴片晶振静电容C0( Shunt Capacitance )目前不超过3pF。 举例: 32MHz无源贴片晶振SMD2016系列静电容C0测试数据如下: 8MHz无源贴片晶振SMD3225系列静电容C0测试数据如下: 拓展阅读: 什么是 …时间:2026/02/09 -
晶振的起振电容太大了会有什么影响?
晶振的起振电容太大了会有什么影响? 答:会造成晶振频率偏负向、起振慢甚至停振。 晶诺威科技进一步解释如下: 晶振的起振电容(外接电容,通常为CL1和CL2)过大会对电路产生以下影响: 1、 频率偏移 起振电容过大会导致晶振输出频率低于标称频率。对时序敏感的电路(如MCU、通信模块),频率偏差可能导致…时间:2025/06/10 -
晶振不接电容的情况存在吗?
晶振不接电容的情况存在吗? 答:晶振不接电容的情况通常需要满足特定条件(如使用有源晶振、MCU内部集成电容等)。 晶振为什么要加电容? 1、为了要满足谐振的条件。具体讲就是:晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容,是为…时间:2025/04/23 -
晶体谐振器的起振电容通常取值范围是多少?
晶体谐振器的起振电容通常取值范围是多少? 答:晶体谐振器(无源晶振)起振电容一般在几皮法(pF)到几十皮法之间,常用范围为10pF至30pF。 注意: 1、具体值需根据晶体的负载电容要求选择。 2、实际应用中,需根据电路设计和元件参数选择合适的电容值,必要时通过实验调整以达到最佳效果。时间:2025/04/20 -
晶振的负载是不是越大越好?
晶振的负载是不是越大越好? 答:负载电容的选择需根据晶振规格和电路需求,过大或过小都会影响性能。 关于晶振负载大小的问题,晶诺威科技进一步解释如下: 晶振的负载并不是越大越好,负载电容的选择需要根据晶振的特性和电路设计要求来确定。以下是关键点: 负载电容的作用 负载电容用于调整晶振的振荡频率,确保其…时间:2025/04/13 -
无源晶振的匹配电容不一致可能导致什么问题?
无源晶振的匹配电容不一致可能导致什么问题? 答:无源晶振的匹配电容不一致会导致频率偏移、启动困难或信号不稳定。 解决方法包括: 按照芯片数据手册设计匹配电容。 测量并确保电容值准确。 优化焊接和PCB布局。 必要时通过调试调整电容值。负载电容计算公式如下: 为了增加无源晶振振荡电路的稳定性,建议C1…时间:2025/04/07 -
如何调整晶振的负载电容?
如何调整晶振的负载电容? 答:负载电容是影响无源晶振频率的一个重要因素。为了调整晶振的负载电容,可以使用电感电容(LC)滤波器或匹配电容等方法来改变电路中的电容值。同时,需要注意电容值的精度和稳定性对晶振频率的影响。时间:2024/03/28 -
8MHz晶振匹配电容是22pF还是20pF?
8MHz晶振匹配电容是22pF还是20pF? 答:8MHz晶振的匹配电容具体是多少pF是由其本身电气参数负载电容(CL)及所在电路板上的杂散电容(Cs)共同决定的。 (8MHz无源晶振电路应用范例) 一般情况下,我们把电路板上的杂散电容(Cs)按照3~5pF计算的话,晶诺威科技建议如下: 如果所选8…时间:2024/02/27
