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20MHz高精度压控温补晶体振荡器VC-TCXO7050
（20MHz高精度压控温补晶体振荡器VC-TCXO7050系列） 晶诺威科技产20MHz高精度压控温补晶体振荡器VC-TCXO7050，使用说明介绍如下： 一、主要参数 Nominal Frequency（标称频率）：20MHz GNW P/N（晶振料号）：05VTG20MG3E Supply Vo…时间：2026/09/28
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晶振的动态电容(motional capacitance)值越小越好吗？
晶振的动态电容(motional capacitance)值越小越好吗？ 不能简单地认为晶振的动态电容（C1）越小越好，它是一个需要根据具体应用场景来权衡的关键参数。 动态电容 C1 直接关联着晶振的频率稳定性与频率调整能力（Pullability），二者往往不可兼得。 核心权衡：稳定性 vs. 可…时间：2026/09/16 -
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晶诺威科技产压控晶振VCXO3225 规格说明
（Outline and pin functions for VCXO3225 GNW） 晶诺威科技产压控晶振VCXO3225系列规格说明如下： 一、压控晶振VCXO3225系列主要电气参数： Frequency Range频率范围: 10~250MHz Frequency Stability频率稳…时间：2026/09/09 -
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晶振的驱动能力(Drive Level)指的是什么？
晶振的驱动能力（Drive Level）指的是什么？ 晶振（这里指晶体谐振器/Crystal Resonator）的驱动能力（Drive Level，也称激励电平）是指流过晶振的有效功率（通常以微瓦μW为单位）。它反映的是振荡电路施加给晶振的能量大小。 简单理解：以下图音叉晶振为例，晶振就像一个高精…时间：2026/06/08 -
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LVCMOS 10MHz OCXO-6X恒温晶振规格参数介绍
（10MHz OCXO-6X恒温晶振尺寸及引脚使用说明） 关于晶诺威科技产10MHz OCXO-6X恒温晶振规格参数，介绍如下： Main Characteristics主要参数 1、Type 晶振类别：OCXO-6X恒温晶振 2、Nominal Frequency 标称频率：10.000000MH…时间：2025/05/08 -
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关于晶诺威科技产10MHz OCXO恒温晶振(低相噪高稳定度)参数说明
关于晶诺威科技产10MHz OCXO恒温晶振（低相噪高稳定度）参数说明如下： 首先，有源晶振，即晶体振荡器（Crystal Oscillator），主要分为温补晶振（TCXO）、压控晶振（VCXO）、恒温晶振（OCXO）等几种类型。 一般除压控晶振外，其它类型晶振都常用于时间频率产品中，为相关时间频…时间：2025/02/20 -
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6-pad VCXO压控晶振SMD7050/SMD5032/SMD3225/2520规格参数说明
关于6-pad VCXO压控晶振SMD7050/ SMD5032/SMD3225/2520规格参数，晶诺威科技说明如下： FEATURES压控晶振VCXO特点及优势： Pads引脚数：6个 supply voltage供电电压：3.3V 或定制 Output输出波形：方波CMOS/TTL outpu…时间：2024/10/30 -
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TS值对晶振的频率影响是什么？
TS值对晶振的频率影响是什么？ 答：TS值指的是晶振负载电容的变化对晶振输出频率的影响程度（Trim Sensitivity Over Load），表达式为：ppm/pF 晶诺威科技解释如下： 如上图所示，在该无源晶振32MHz测试数据中，红色箭头指的是该晶振的TS值，如果晶振#1的TS=14.69…时间：2023/09/01 -
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关于晶振总误差的计算方法
在比较侧重晶振精度及稳定度的应用当中，我们需要更加准确地计算出晶振的频率偏移。晶诺威科技从电容变化及回流焊两方面解释对总频差的影响： 牵引灵敏度Pulling Sensitivity XTAL 的振荡频率取决于负载电容，并且会受到负载电容在整个温度范围内的容差的影响。它通常以电容变化的ppm/pF表…时间：2023/08/14 -
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什么是晶振的频率pullability（拉伸值）？
什么是晶振的频率pullability（拉伸值）？ When extra capacitance is added to the oscillator circuit, reducing the oscillator frequency. The level of tuning possible, …时间：2023/06/18
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