作为简便的方法，可以考虑将测量探头直接连接到晶体谐振器的引脚上，但此方法会导致测得的频率值比实际值偏低，无法做到精准测量。
原因在于：
一般探头的输入电容为13pF左右，即便是输入电容相对较小的FET探头也有约2pF。当探头接入晶体谐振器的引脚时，会改变负载电容 CL，从而导致测定结果产生偏差。
在上图所示的振荡电路中，负载电容CL如公式所示：
CL=CinxCout / (Cin + Cout) + CS + CIC
注：
CS: 电路的寄生电容
CIC: IC的内部电容
例如, 当Cin=Cout=8pF, Cs=2pF, CIC= 4pF时, 由公式1可得CL值为 10pF。
举例：
在接入负载电容CL时，从该晶体谐振器的自身频率 (Fo) 开始的频率变化示例。由上图可知，CL越大，频率越低。 当不接入FET探头时，振荡频率的测量值为 +136ppm。相对地，当接入FET探头时，由于负载电容增加了2pF，测量值变为+115ppm，比原来低了21ppm，因此无法做到非常精准的测量，这一点误差需要注意。
负载电容对频率的影响由晶振本体的TS牵引值决定。不同频率和封装的晶振频率TS值也不同。预测试结果可以得出，上图中所测晶体谐振器的TS大约为10.5ppm/pF。
