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无源晶振负载电容选8/9/12pF的区别是什么?
无源晶振负载电容选8/9/12pF的区别是什么? 答:无源晶振的负载电容选择8pF、9pF还是12pF,核心区别在于功耗、起振难易度和频率稳定性之间的权衡。可以将负载电容比作驱动晶振这个“钟摆”所需的力量。数值越小,摆动越容易但越易受干扰;数值越大,摆动越稳但要花更大力量去推动。 三种电容选型的特点…时间:2026/10/12 -
晶振频率测量: 带负载的探头容易引发问题
作为简便的方法,可以考虑将测量探头直接连接到晶体谐振器的引脚上,但此方法会导致测得的频率值比实际值偏低,无法做到精准测量。 原因在于: 一般探头的输入电容为13pF左右,即便是输入电容相对较小的FET探头也有约2pF。当探头接入晶体谐振器的引脚时,会改变负载电容 CL,从而导致测定结果产生偏差。 在…时间:2026/09/23 -
选择MCU无源晶振及外部器件的简易指南
选择MCU无源晶振及外部器件的简易指南,介绍如下: 第一步:增益裕量(Gainmargin)计算 选择一个晶振(参考MCU的数据手册确定晶振的频率)。 计算晶振的增益裕量(Gainmargin)并检查其是否大于5。 如果Gainmargin <5,说明这不是一个合适的晶振,应当再挑选一个低ES…时间:2023/02/17
