关于AiP8563芯片手册晶振及匹配电容选取，晶诺威科技建议如下：

单电容方案范例

当晶振两端使用单电容结构时，建议使用频率为32.768KHz，ESR为40KΩ的晶振，负载容值13pF的贴片电容。

双电容方案范例

当晶振两端使用双电容结构时，建议使用频率为32.768KHz，ESR为40KΩ的晶振，负载容值为10pF~12pF的贴片电容，两个电容的容值保持一致。

注：以上参数仅为推荐值，实际参数可能会因用户PCB板材及布线不同，存在一定差异。若AiP8563走时偏快，则适当增大电容容值;若AiP8563走时偏慢，则适当减小电容容值。

PCB布局要点

1、晶振应靠近芯片OSCI端口与OSCO端口处摆放，远离板边;

2、晶振到芯片的走线尽量短而直,双电容结构时应保持两颗电容到芯片引脚的线长相等;

3、尽可能保证晶振周围的没有其他元件,防止器件之间的互相干扰;

4、晶振的外壳建议接地，除了防止晶振向外辐射，也可以屏蔽外来的干扰;

5、晶振于芯片引脚间的走线线宽建议在8-12mil之间，晶振下面不要布线，保证完全铺地。

注：

本资料仅供参考。