晶片破损及电阻值变异引发晶振停振问题分析如下：

不良晶振为49S与圆柱体晶振，安装方式为手工焊接。不良品在我司S&A 250B上测试，数据如下：

数据组1

数据组2

数据组3

数据组4

排除误判以外，分析如下：

1、针对测试数据组1~3及晶振49S不良品开壳观测，发现晶片出现裂痕，引发电阻异变。关于晶片出现裂痕问题，分析为晶振产品遭受破坏性物理外力冲击造成不良，强烈建议在晶振运转中，包括仓库及产线，严格遵循“跌落勿用”原则。

2、根据测试数据组4分析，大部分不良圆柱体晶振出现DLD Dead不良，解剖发现晶片已经破损，直接造成停振。建议在晶振手焊过程中，严禁用力拉扯晶振引脚 ，以防破坏基座的玻璃纤维部位，造成内部晶片碰壳受损。