常见晶振激励功率如下：
- 49S/49SMD晶振：100µW (500µW max)
- MHz SMD晶振：10µW（50µW max)
- 32.768kHz晶振：1µW (2µW max)
拓展阅读：晶振激励功率匹配不当的影响有哪些？
1、激励功率过高对晶振的影响主要有以下三点：
- 频率变化激励功率过高会导致振幅增大，从而引发幅频效应。这种效应会改变晶振的机械应力与弹性常数，从而导致振荡频率有明显变化，影响设备的正常工作。
- 热应力增加过高的功率会在晶片两电极之间形成不均匀的温度场，导致热应力增大，进而影响频率稳定性，严重时可能导致晶片损坏。
- 晶振老化长期在高激励功率下运行会加速晶振老化，缩短使用寿命，增加维修或更换的成本。
2、激励功率过低对晶振的影响
DLD效应激励功率不足时，晶振的振荡能力下降，容易出现驱动功率相关性(DLD)效应。晶振的频率可能随着激励功率的波动而变化。晶振无法起振若激励功率过低，电路的振荡裕量不足，可能导致晶振无法启动振荡，使设备无法正常运行。
3、如何减少驱动功率？
- 增加阻尼电阻在电路中增加适当的阻尼电阻，可以减小反相放大器的输出幅度，从而降低驱动功率。但需确保振荡裕量大于晶振等效电阻的5倍，以保证振荡器稳定运行。
- 减少外部负载电容减小外部负载电容可以增加振荡电路的阻抗，从而降低实际驱动功率。然而，需注意负载电容的调整可能影响振荡频率，必须确保频率仍在允许范围内。
拓展阅读：石英晶体激励功率过大的危害
石英晶体如果被过大的功率驱动，就像人一直超负荷工作一样，会从内到外产生一系列问题，轻则性能下降，重则直接报废。
具体来说，激励功率过大会带来以下几个层面的危害：
1、 核心损害：物理结构受损
这是最直接也是最严重的危害。过大的激励功率会使石英晶片的机械振动过于剧烈。
晶片振裂：当振动的强度超过晶片的弹性极限时，会导致石英晶片直接振碎。晶片都碎了，晶体自然也就彻底损坏、无法工作了。
内部连接损坏：剧烈的振动还可能使固定晶片和基座的导电胶发生断裂。这会造成内部电路断路，晶体同样会停振。
2、 性能劣化：频率偏移与不稳定
在晶体被彻底损坏之前，其性能已经开始恶化。
永久性频偏：过强的振动可能导致石英晶格发生不可逆的位移，即使停止过驱动，晶体的输出频率也会永久性地偏离标称值。
短期频率波动：过大的功率会使晶片振动区域的温度升高，导致频率稳定度下降，出现短期内的频率漂移。
等效电阻增加：过大的激励会激起晶片不必要的寄生振动，导致其等效电阻变大。这会使得晶振的启动变得更加困难，甚至起振不稳。
3、 长期危害：加速老化
即使过大的功率没有立刻造成损坏，它也会对晶体造成“内伤”。过高的激励会使晶体内部温度升高，这会显著加速晶体的老化效应。老化的直接表现就是，晶体的频率会随着使用时间的推移而发生更快的漂移，大大缩短了其有效使用寿命。
如何应对？
正因为危害如此严重，在电路设计中必须严格控制激励功率。
遵守规格：确保流过晶体的激励功率（通常在100μW以下）不超过数据手册中的额定值。
电路调整：如果实测功率过大，可以通过适当调整振荡电路中的限流电阻（如串联电阻Rd）来降低激励电平。
简单来说，激励功率过大，会让晶体从“频率指挥官”变成一个“失控的运动员”，不仅动作变形（频率不稳），还可能拉伤自己（加速老化），甚至直接骨折（物理损坏）。
