• 关于石英晶体谐振器(Crystal unit)的使用说明
    2023-07-23
    关于石英晶体谐振器(Crystal unit)的使用说明,晶诺威科技解释如下: Drive level驱动水平 Applying excessive drive level to the crystal units may cause deterioration of characteristics…
  • 激励功率过大会对晶振造成什么影响?
    2023-05-28
    激励功率过大会对晶振造成什么影响? 答:激励功率直接影响着晶振的起振速度,比如:若激励功率偏小,晶振会起振慢;若激励功率过大,晶振起振会快,但内置石英晶片可能因过驱而损坏,结果是不稳定或停振。 举例:关于晶诺威科技产无源贴片晶振SMD1612电气参数中的激励功率指标,如下图所示:
  • 激励功率过大对晶振造成的影响是什么?
    2023-04-18
    (晶诺威科技SMD1612贴片无源晶振激励功率) 注: 激励功率:10μW 激励功率最大值:100μW 激励功率过大对晶振造成的影响是什么? 答:激励功率(Drive Level)过大会导致无源晶振使用寿命缩短,严重时导致晶振停振。 解释如下: 激励功率属于无源晶振(晶体谐振器)本身的一个重要电气参…
  • 关于无源晶振频率不对的原因分析
    2023-04-03
    关于无源晶振频率不对的原因,分析如下: 与有源晶振相比,一般情况下无源晶振在实际应用中出现问题的可能性较大,其输出频率不对的主要原因分为晶振本身(如内部晶片损坏,导电胶断裂、内部污染或阻抗过大等)和电路原因(负载电容匹配不当,杂散电容过大等)。 无源晶振指所有谐振器系列,内部没有独立的起振电路,需要…
  • 如何调整晶振电路的负性阻抗Negative Resistance Value?
    2023-02-18
    如何调整晶振电路的负性阻抗Negative Resistance Value?解释如下: 一般而言,负性阻抗值应满足不少于晶振标称最大阻抗(ESR/Equivalent Series Resistance/等效串联电阻)的3-5倍。如:若32.768KHz晶振ESR=45KΩ,则建议负性阻抗Nega…
  • 选择MCU无源晶振及外部器件的简易指南
    2023-02-17
    选择MCU无源晶振及外部器件的简易指南,介绍如下: 第一步:增益裕量(Gainmargin)计算 选择一个晶振(参考MCU的数据手册确定晶振的频率)。 计算晶振的增益裕量(Gainmargin)并检查其是否大于5。 如果Gainmargin <5,说明这不是一个合适的晶振,应当再挑选一个低ES…
  • 关于无源晶振SMD3215-32.768KHz激励功率取值问题
    2023-02-15
    关于无源晶振SMD3215-32.768KHz激励功率取值问题,解释如下: 一般情况下,与AT切MHz晶振相比,音叉式KHz晶振对驱动功率要求很低。针对无源晶振SMD3215-32.768KHz激励功率(DRIVE LEVEL),我们推荐激励功率为0.1~0.2uW。原则上不可超过1.0uW。为了保…
  • Some explanations to the crystal oscillators
    2023-02-01
      A Piezoelectric Quartz Crystal Unit is an electronic component used in frequency control applications. Piezoelectric Quartz Crystal Units are u…
  • 常见晶体谐振器激励功率汇总(Drive level Typical及Maximum)
    2022-12-07
    (晶体谐振器SMD2016激励功率Drive level Typical及Maximum) 谈及激励功率,我们通常指的是晶体谐振器(无源晶振)的一个重要电气参数。其要求是既要保证晶体正常起振,但又不能使之过驱。在晶体谐振器数据手册中,激励功率这个参数都会有明确标注。激励电流测试位置如下图所示: 常见…
  • 关于晶体谐振器电路应用三个常见误区
    2022-10-15
    关于晶体谐振器电路应用三个常见误区,晶诺威科技为您整理如下: Drive level 驱动电平 Applying excessive drive level to the crystal units may cause deterioration of characteristics or dama…
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