无源晶振起振电路设计：关于C0/C1, CL及RR说明如下： C0/C1对晶体稳定性的影响 晶体（无源晶振）的静态电容C0和动态电容C1大小，与晶片电极面积大小（体积大小）成正比，不同厂家设计C0也有差异。 同一频率C0/C1的不同会影响振荡电路的稳定性： C0/C1大，频率上升到标称频率前电抗变大…

时间：2022/07/01

QUARTZ CRYSTALS Synthetic quartz is composed of silicon and Oxygen (Silicon Dioxide) and is cultured in autoclaves under high pressure and temperature…

时间：2022/06/10

合适的激励电平因晶体谐振器型号以及谐波次数的不同而存在差异。在晶诺威科技晶振谐振器规格书中，激励电平/激励功率的项目栏中记载的是最大规格值。 MHz晶体谐振器 基波模式：300μW max.、200μW max.、100μW max. 谐波模式：1mW max.、500μW max. KHz晶体谐振…

时间：2022/05/05

石英晶振的激励等级DL（驱动水平、Drive Level） 石英晶振的激励等级可以按照晶振的各种工作状态下的消耗电力，或按照电流的等级来进行表示。如果利用过大的电流来使晶振工作,有可能产生频率不稳定等特性的恶化，以及导致石英晶片可能破损的危险。在使用之前,建议进行电路设计时,确认一下所使用的激励等级…

时间：2022/04/20

  在无程序或程序错误条件下晶振会起振吗？ 答：在无程序或程序错误条件下，单片机外部晶振不会起振，即：不会工作。 程序与外部晶振的工作关系解析如下： 通电开机后，当系统从内部时钟源切换到由晶振提供的更为精准的外部时钟源时，单片机硬件会通过程序尝试对外部晶振两端施加电压（如：提供激励功率（D…

时间：2022/02/24

关于无源晶振/石英晶体谐振器的两个相关重要参数“驱动功率”和“负性阻抗”，说明说下： 驱动功率( Drive Level ) 石英晶体的驱动功率（激励功率）是指石英晶体的消耗功率，一般是以微瓦（microwatt）表示。换句话说，驱动功率是指晶振在工作状态下所需的最小电源电压，需使用示波器和电源测试…

时间：2022/02/18

（电流探头测试点应该在电路的A位置） 驱动电平/激励功率（Drive level）概念 驱动电平指振荡电路工作时晶体谐振器的功耗。晶体必须保持在驱动电平规格范围内，过高的驱动电平可能会导致频率和等效串联电阻的意外变化。 驱动电平/激励功率（Drive level）计算方法 驱动电平 = I^2・R1…

时间：2021/12/24

晶振的牵引率(Pullability)及敏感度(Trim Sensitivity)解释如下： （晶振TS曲线） 石英晶振应用在并联振荡线路上，振荡频率与负载电容CL有很大的关系，是以并联振荡线路上FL频率对负载电容CL的变化曲线。 频率的“牵引率”(Pullability)指的是负载电容CL1的频率…

时间：2021/11/30

关于晶振振荡电路设计注意事项归纳如下： 公称频率及容许误差( Nominal Frequency and Tolerance ) 在正确的振荡线路匹配下, 从振荡线路输出的频率, 称之为标称频率(nominal frequency)。 频率单位一般是以兆赫( MHz) 或千赫( KHz)表示。 实际…

时间：2021/11/17

无源晶振(石英晶体谐振器)主要参数有：频率精度即调整频差、频率温度特性、等效电阻以及机械性能、耐气候性能等。详情如下： 1.频率温度特性： 石英谐振器产生的频率虽然很稳定但也受温度的影响。即石英晶体谐振器具有其频率随温度变化而变化的特性。频率温度特性的好坏一般用温度频差的大小表示。 2.温度频差 在…

时间：2021/11/05