如何调整晶振电路的负性阻抗Negative Resistance Value？晶诺威科技解释如下： 一般而言，负性阻抗值应满足不少于晶振标称最大阻抗（ESR/Equivalent Series Resistance/等效串联电阻）的3~5倍。如：若32.768KHz晶振ESR=45KΩ，则建议负性阻…

时间：2023/02/18

选择MCU无源晶振及外部器件的简易指南，介绍如下： 第一步：增益裕量(Gainmargin)计算 选择一个晶振(参考MCU的数据手册确定晶振的频率)。 计算晶振的增益裕量(Gainmargin)并检查其是否大于5。 如果Gainmargin <5，说明这不是一个合适的晶振，应当再挑选一个低ES…

时间：2023/02/17

关于无源晶振SMD3215-32.768KHz激励功率取值问题，解释如下： 一般情况下，与AT切MHz晶振相比，音叉式KHz晶振对驱动功率要求很低。针对无源晶振SMD3215-32.768KHz激励功率（DRIVE LEVEL），我们推荐激励功率为0.1~0.2uW。原则上不可超过1.0uW。为了保…

时间：2023/02/15

  A Piezoelectric Quartz Crystal Unit is an electronic component used in frequency control applications. Piezoelectric Quartz Crystal Units are u…

时间：2023/02/01

(晶体谐振器SMD2016激励功率Drive level Typical及Maximum) 谈及激励功率，我们通常指的是晶体谐振器（无源晶振）的一个重要电气参数。其要求是既要保证晶体正常起振，但又不能使之过驱。在晶体谐振器数据手册中，激励功率这个参数都会有明确标注。激励电流测试位置如下图所示： 常见…

时间：2022/12/07

关于晶体谐振器电路应用三个常见误区，晶诺威科技为您整理如下： Drive level 驱动电平 Applying excessive drive level to the crystal units may cause deterioration of characteristics or dama…

时间：2022/10/15

开头必须再次说明：晶振分为无源晶振（晶体谐振器/晶体）和有源晶振（晶体振荡器）两种。在晶振这个频率控制元件领域，我们对“启动电流”分别有专业叫法。解释如下： 针对无源晶振 在无源晶振电路应用中，晶振最基本工作原理是芯片为其提供足够大的电流，供其起振。这个“启动电流”一般我们不以电流单位（如毫安）表述…

时间：2022/09/28

晶诺威科技不同封装尺寸晶体/无源晶振的激励等级建议参考值如下： 49S/49SMD无源晶振: 100uW Typical (500uW Max.) 49U无源晶振: 100uW Typical (500uW Max.)。49U晶振产品图如下： SMD无源贴片晶振MHz: 10uW Typical (…

时间：2022/07/04

无源晶振起振电路设计：关于C0/C1, CL及RR说明如下： C0/C1对晶体稳定性的影响 晶体（无源晶振）的静态电容C0和动态电容C1大小，与晶片电极面积大小（体积大小）成正比，不同厂家设计C0也有差异。 同一频率C0/C1的不同会影响振荡电路的稳定性： C0/C1大，频率上升到标称频率前电抗变大…

时间：2022/07/01

QUARTZ CRYSTALS Synthetic quartz is composed of silicon and Oxygen (Silicon Dioxide) and is cultured in autoclaves under high pressure and temperature…

时间：2022/06/10