关于无源晶振输出幅度(Output Level/Swing)的调整方法，晶诺威科技解释如下： 无源晶振本身不产生振荡，其幅度由单片机（MCU）内部的振荡器电路和外部匹配网络共同决定。调整的目的是优化增益和功耗，确保可靠起振和稳定运行，而不是随意改变幅度。 核心调整参数：驱动强度（Drive Leve…

时间：2026/02/11

晶振不同激励功率下阻值的变化是什么样的？ 通常来说，晶振的等效阻抗（ESR）越大，起振所需要的激励功率越大。 同样封装尺寸的晶振，低频晶振比高频晶振晶片厚，因此等效阻抗较大，起振所需激励功率也越大。 晶诺威科技产晶振49S系列等效电阻一览表： 激励功率典型值：10uw 这与一辆（较轻的）小车和一辆（…

时间：2026/02/05

晶振10uW和100uW有什么区别？ 首先，这是针对无源晶振（晶体谐振器）的一个关键性电气参数，指的是晶振的激励功率，其单位是uW（即微瓦）。 简单来说，10uW的晶振比100uW的晶振更省电，功耗仅为后者的十分之一。换句话说，10uW的晶振仅需要芯片为其提供10uW的电流就能起振，而100uW的晶…

时间：2025/11/22

晶振Drive Level 10μW Typ. 100μW. Max.是什么意思？ 答：Drive Level属于无源晶振（晶体谐振器）关键参数之一，中文为“激励功率”的意思。 10μW Typ.为典型值； 100μW. Max.为最大值。 若芯片为无源晶振提供的激励功率大于其标称激励功率，就有可能…

时间：2025/05/09

无源晶体谐振器需要输入吗？ 答：无源晶体谐振器（Crystal Resonator）不需要外部输入信号来工作，但它需要外部电路提供激励才能产生振荡。 以下是晶诺威科技的详细说明： 1、 无源晶体谐振器的工作原理 无源晶体谐振器本身是一个被动元件，基于压电效应工作。当外部电路提供适当的激励（通常是通过…

时间：2025/03/27

晶振激励功率调整电阻位于“in”还是“out”？ 答：调整电阻位于晶振电路的“out”端。 如下图（REXT位置）所示：

时间：2025/02/16

常见晶振激励功率如下： 49S/49SMD晶振：100µW (500µW max) MHz SMD晶振：10µW（50µW max) 32.768kHz晶振：1µW (2µW max) 拓展阅读：晶振激励功率匹配不当的影响有哪些？ 1、激励功率过高对晶振的影响主要有以下三点： 频率变化激励功率过高会…

时间：2024/12/26

16MHz晶振的串联电阻一般多大？ 答：若16MHz无源晶振电路不存在过驱，则不需要串联电阻（Rext/阻尼电阻/Damping resistor）。如果存在诸如正弦波波形被削平等过驱（OVER DRIVEN）现象，才需要增加串联电阻，其阻值一般为几十欧姆。需要注意的是，如果串联电阻过大，可能造成晶…

时间：2024/10/30

（无源晶振SMD2016电气参数） 晶振功耗过大解决办法有哪些？ 答：一般情况下，晶振体积越小，功耗越小。 如果是有源晶振应用方案，直接选择低功耗有源晶振系列就好了。如果是无源晶振方案，建议选择低负载（CL）及低等效电阻（ESR）。 （有源晶振OSC7050电气参数） 晶诺威科技详解如下： 1、在有…

时间：2024/08/26

25MHz晶振输出串联电阻是多大？ 答：在无源晶振电路实际应用中，如果不存在晶振被芯片过驱问题，一般情况下不需要增加串联电阻。 关于晶振的等效串联电阻和（电路中）串联电阻的区别 等效串联电阻（ESR）： 无源晶振本身电气参数之一（意思是：相当于在电路中串联了一个电阻的大小），该值的大小因晶振封装尺寸…

时间：2024/07/19