晶振不同激励功率下阻值的变化是什么样的？

通常来说，晶振的等效阻抗（ESR）越大，起振所需要的激励功率越大。

同样封装尺寸的晶振，低频晶振比高频晶振晶片厚，因此等效阻抗较大，起振所需激励功率也越大。

晶诺威科技产晶振49S系列等效电阻一览表：

激励功率典型值：10uw

这与一辆（较轻的）小车和一辆（较重的）大车起步所需的动力不一样是一个道理。

拓展阅读：石英晶体激励功率过大的危害

石英晶体如果被过大的功率驱动，就像人一直超负荷工作一样，会从内到外产生一系列问题，轻则性能下降，重则直接报废。

具体来说，激励功率过大会带来以下几个层面的危害：

1、 核心损害：物理结构受损

这是最直接也是最严重的危害。过大的激励功率会使石英晶片的机械振动过于剧烈。

晶片振裂：当振动的强度超过晶片的弹性极限时，会导致石英晶片直接振碎。晶片都碎了，晶体自然也就彻底损坏、无法工作了。

内部连接损坏：剧烈的振动还可能使固定晶片和基座的导电胶发生断裂。这会造成内部电路断路，晶体同样会停振。

2、 性能劣化：频率偏移与不稳定

在晶体被彻底损坏之前，其性能已经开始恶化。

永久性频偏：过强的振动可能导致石英晶格发生不可逆的位移，即使停止过驱动，晶体的输出频率也会永久性地偏离标称值。

短期频率波动：过大的功率会使晶片振动区域的温度升高，导致频率稳定度下降，出现短期内的频率漂移。

等效电阻增加：过大的激励会激起晶片不必要的寄生振动，导致其等效电阻变大。这会使得晶振的启动变得更加困难，甚至起振不稳。

3、 长期危害：加速老化

即使过大的功率没有立刻造成损坏，它也会对晶体造成“内伤”。过高的激励会使晶体内部温度升高，这会显著加速晶体的老化效应。老化的直接表现就是，晶体的频率会随着使用时间的推移而发生更快的漂移，大大缩短了其有效使用寿命。

如何应对？

正因为危害如此严重，在电路设计中必须严格控制激励功率。

遵守规格：确保流过晶体的激励功率（通常在100μW以下）不超过数据手册中的额定值。

电路调整：如果实测功率过大，可以通过适当调整振荡电路中的限流电阻（如串联电阻Rd）来降低激励电平。

简单来说，激励功率过大，会让晶体从“频率指挥官”变成一个“失控的运动员”，不仅动作变形（频率不稳），还可能拉伤自己（加速老化），甚至直接骨折（物理损坏）。