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晶振FDLD不良是什么原因造成的？
晶振FDLD不良是什么原因造成的？晶诺威科技解释如下： FDLD解释 MaxF~MinF，在指定功率驱动晶振时所测得的（频率最大值~频率最小值）频率差值，FDLD越小越好。 FDLD不良原因 在晶振制造过程中如果受到环境污染，所测得FDLD值就会偏高，FDLD不良会导致晶振频偏超差或时振时不振现象发…时间：2024/04/18
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关于晶诺威科技产OSC有源晶振引脚#1配置选项(OE,ST或NC)解释说明
关于晶诺威科技产OSC有源晶振引脚#1配置选项(OE,ST或NC)解释说明如下： The three modes of Pin 1 for a crystal oscillator有源晶振（晶体振荡器）引脚#1的三种模式： 1、Output Enable (OE) Mode输出使能模式 In the…时间：2024/04/17 -
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8MHz无源晶振典型应用电路说明（中英文）
关于8MHz无源晶振典型应用电路说明，晶诺威科技解释如下： 以STM32F为例：HSE 4-26 MHz oscillator characteristics The high-speed external (HSE) clock can be supplied with a 4 to 26 MHz…时间：2024/04/17 -
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晶诺威科技无源贴片晶振SMD3225电气参数测试说明（英文版）
晶诺威科技无源贴片晶振SMD3225电气参数测试说明（英文版）说明如下： MAIN ELECTRICAL SPECIFICATIONS 1. Nominal Frequency 2. Oscillation Mode 3. Load Capacitance 4. Frequency Toleranc…时间：2024/04/17 -
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AEC-Q200车规晶振可靠性测试说明（英文版）
AEC-Q200车规晶振可靠性测试说明（英文版） RELIABILITY SPECIFICATIONS (Conforms to AEC-Q200) Measurement condition Electrical characteristics measured by S&A250B or…时间：2024/04/17 -
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CMOS输出有源晶振电流功耗说明（含输出使能及待机功能）
关于有源晶振电流功耗说明（含输出使能及待机功能），晶诺威科技举例如下： 方波（CMOS）输出有源晶振主要电气参数 *1 Frequency tolerance includes initial frequency tolerance, temperature variation, supply vo…时间：2024/04/16 -
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晶振负载有哪些常见的规格？
（某款芯片手册对晶振的规格要求） 晶振负载有哪些常见的规格？ 答：晶振负载常见的规格包括：6pF、7pF、8pF、9pF、10pF、12.5pF、15pF、18pF、20pF等。不同的晶振厂家的晶振产品可能会有不同的负载规格，请根据实际应用需求来进行选择。 晶诺威科技产插件晶振49S规格参数如下：时间：2024/04/15 -
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晶振为什么不起振？
晶振为什么不起振？晶诺威科技归纳五点如下： 1、晶振内部晶片破损或内部短路; 2、晶振电阻（ESR）超差； 3、晶振引脚接错或短路; 4、晶振频率选择错误或精度不够； 5、晶振负载选错，包括晶振负载CL及外接匹配电容选错； 6、MCU故障； 7、晶振工作温度超差； 8、晶振电路遭受干扰； 9、激励功…时间：2024/04/15 -
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为什么石英晶体谐振器和石英晶体振荡器不能摔？
为什么石英晶体谐振器和石英晶体振荡器不能摔？ 答：跌落可能会造成内部晶片破碎。石英晶片很薄，例如25MHz的晶片，其厚度约为0.0668mm，这种厚度使其脆弱，易受损。 49S与49U晶振内部的石英晶片如下： 圆柱晶振内部音叉型石英晶片如下： 晶振生产制程一般包括以下主要步骤： 晶片切割 从大块的石…时间：2024/04/14
深圳市晶诺威科技有限公司
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