（无源晶振电路中的外接匹配电容CL1和CL2）

COG(NPO)贴片电容简述

COG(NPO)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。尤其适用于高频电子电路。

COG(NPO)贴片电容特性

• 具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
• 层叠独石结构，具有高可靠性。
• 优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
• 应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

NPO电容器

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

封 装DC=50V DC=100V

0805 0.5—1000pF 0.5—820pF

1206 0.5—1200pF 0.5—1800pF

1210 560—5600pF 560—2700pF

2225 1000pF—0.033μF 1000pF—0.018μF

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

拓展阅读：晶振电容应靠近晶振引脚还是MCU引脚放置？

这是PCB布局中高频易被忽视却影响起振可靠性的关键问题。实践中常见错误是将两个负载电容（如22pF）对称布设在晶振与MCU之间，或刻意靠近MCU引脚以“缩短到芯片的距离”。但根据EMI抑制原理和寄生参数建模，电容必须紧邻晶振两端（即并联在XTAL/XTAL1引脚之间），且走线越短、越粗、越对称越好。

原因：

晶振为高阻抗谐振器件，其等效串联电阻（ESR）极小，任何引线电感（>0.5nH/mm）都会与电容形成额外LC谐振，导致相位裕度下降、起振延迟甚至停振；而MCU端引脚内部已集成反相放大器及缓冲结构，对电容位置不敏感。实测表明，电容距晶振＞3mm时，-40℃低温起振失败率可升高5~10倍。

正确做法：

电容焊盘直接打孔紧贴晶振焊盘，禁用过孔换层，且避开电源/数字走线干扰区。