2024-09-09

（该芯片推荐晶振负载电容为：最小值5pF，典型值7pF，最大值9pF） 关于芯片对晶振外接匹配电容的配置要求，需要仔细阅读芯片手册相关内容。 举例：某款芯片对晶振外接电容配置说明如下： On-chip default connected capacitance including reference…

2024-08-29

NPO和C0G是同一种电容吗？ 答：NPO其实应该是NP0（零）。 一般大家习惯写成NPO。这是Negative-Positive-Zero 的简写，用来表示的温度特性。说明NPO 的电容温度特性很好，不随正负温度变化而出现容值漂移。C0G 是I 类陶瓷中温度稳定性最好的一种，温度特性近似为0，满足…

2024-08-18

（无源晶振电路中的外接匹配电容CL1和CL2） COG(NPO)贴片电容简述 COG(NPO)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。尤其适用于高频电子电路。 COG(NPO)贴片电容特性 具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围…

2024-06-02

关于无源晶振电路中外接电容CL1和CL2的选取，晶诺威科技解释如下： 英文解释： For CL1 and CL2,it is recommended to use high quality ceramic dielectric capacitance (typically) between 5pF …

2024-05-25

外接电容选择不当会对晶振电路造成什么影响？ 如果晶振的外接电容值选择不当，可能会对电路产生以下影响： 1、频率稳定性：电容值过小可能导致频率稳定性下降，容易受到外界因素的干扰。电容值过大可能会使频率偏离标称值。 2、起振问题：电容值不合适可能导致晶振无法正常起振或起振困难。 3、功耗增加：不恰当的电…

2024-02-05

晶振两端电容对时间的影响是什么？ 答：晶振两端电容越大，时间越慢；晶振两端电容越小，时间越快。 晶诺威科技解释如下： 一般情况下，增大无源晶振的负载电容将会使其振荡频率下降。负载电容越大，其振荡越稳定，但是会增加起振时间和功耗。 晶振两端电容大小对电路的稳定性有着重要影响。合适的电容大小可以提高电路…

2023-09-17

晶振匹配电容的大小有没有区别？ 答：有很大区别。 晶诺威科技解释如下： 与晶振匹配的外接电容过大，会造成晶振实际输出频率偏负向（系统时钟变慢）、起振慢或者停振。 与晶振匹配的外接电容过小，会造成晶振实际输出频率偏正向（系统时钟变快）。 总之，晶振的外接电容既然叫“匹配电容”，就是既不能大，也不能小，…

2023-06-19

无源晶振外接电容与负载电容CL不匹配会出现什么情况？ 答：如果外接电容过小，晶振输出频率会偏快；反之，如果外接电容过大，晶振输出频率会偏慢，甚至停振。

2023-04-03

在晶振起振电路中的Cstray指的是什么电容？ Cstray，简称Cs，指的是晶振引脚至芯片管脚的走线电容（即杂散电容总和，包括电路走线、晶振引脚及芯片引脚的所有寄生电容）。一般Cstray的典型值取3~5pF或4~6pF之间。 因为电路板走线设计或复杂程度不同，杂散电容存在不同差异。需要指出的是，…

2023-02-17

选择MCU无源晶振及外部器件的简易指南，介绍如下： 第一步：增益裕量(Gainmargin)计算 选择一个晶振(参考MCU的数据手册确定晶振的频率)。 计算晶振的增益裕量(Gainmargin)并检查其是否大于5。 如果Gainmargin <5，说明这不是一个合适的晶振，应当再挑选一个低ES…