2024-07-19

25MHz晶振输出串联电阻是多大？ 答：在无源晶振电路实际应用中，如果不存在晶振被芯片过驱问题，不需要增加串联电阻。 关于晶振的等效串联电阻和（电路中）串联电阻的区别 等效串联电阻（ESR）： 无源晶振本身电气参数之一（意思是：相当于在电路中串联了一个电阻的大小），该值的大小因晶振封装尺寸而异，如：…

2024-07-02

晶振是否需要串联电阻？ 答：32.768KHz无源晶振电路不需要串联电阻；MHz无源晶振电路，只有在过驱（激励功率过大）的情况下才串联几十Ω的电阻。在没有过驱的情况下，也无需串联电阻。 如下图所示： 32.768KHz晶体谐振器与8MHz晶体谐振器典型振荡电路  

2024-04-28

无源晶振输出的正弦波波峰被削平是什么原因？晶诺威科技解释如下： 理想的振荡器能保持频率长时间稳定，无频率变化，输出波形为清晰的正弦波输出。 当使用示波器检测无源晶振频率输出脚时，检测到非常清晰的正弦波，且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要，则晶振未被过分驱动； 相反，如果检测到无源晶振输出的正…

2024-04-15

晶振为什么不起振？晶诺威科技归纳五点如下： 1、晶振内部晶片破损或内部短路; 2、晶振电阻（ESR）超差； 3、晶振引脚接错或短路; 4、晶振频率选择错误或精度不够； 5、晶振负载选错，包括晶振负载CL及外接匹配电容选错； 6、MCU故障； 7、晶振工作温度超差； 8、晶振电路遭受干扰； 9、激励功…

2024-03-06

低电源设计会对振荡器产生什么影响？ 低电源设计对振荡器的影响主要体现在高频振荡器（OSCILLATOR）的设计上。这主要带来两个问题： 在设计高频OSCILLATOR时，可能会面临放大器低的高频增益及高的CRYSTAL等效电阻（ESR）。也就是说，低电源设计可能使得振荡器在高频下的性能受到影响，可能…

2024-03-05

关于无源晶振在电路中的使用条件，晶诺威科技归纳如下： 1、驱动级别（Drive level/DL） 如果晶振的激励功率标注为“100μW max.”，则意味着如果驱动功率太高（如：大于100μW），可能会导致晶体谐振器异常振荡或损坏）。 2、负载电容（Capacitance Load/CL） 要求电…

2024-01-31

除了输出波形测试外，晶振电路匹配还需要进行以下测试： 1、负载电容测试： 负载电容是晶振在特定电路条件下的电容负载，需要使用LCR表测量晶振两端的电容值，确保它与设计规格相符。测试结果应符合设计规格，同时确保晶振在特定电路条件下能正常工作。 2、驱动电平测试： 驱动电平是指晶振在工作状态下所需的最小…

2023-12-14

无源晶振的信号电平是由什么决定的？晶诺威科技解释如下： 无源晶振只有两个频率管脚。无源晶振没有电源电压，其信号电平是根据起振电路来决定的，是可变的，同样的无源晶振可以适用于多种电压，可适用于不同电压要求的CPU。通常，无源晶振的价格比较低，在民用产品当中为了降低成品大部分使用的都是无源晶振。 在无源…

2023-11-26

关于晶振发烫问题，晶诺威科技解释如下： 晶振分为无源晶振和有源晶振两大类如上图所示，其应用电路如下： 无源晶振发烫 排除工作环境温度对其的影响，最可能出现的情况是芯片对晶振提供的激励功率过大，导致了过驱。晶诺威科技建议通过调整（增大）串联电阻来降低激励功率（Drive level）。 有源晶振发烫 …

2023-11-09

(DRIVE LEVEL FOR SMD2016) 晶振激励功率最大值的含义是什么？ 答：指的是若提供的激励功率超过该值，可能会损伤晶振，包括晶振工作稳定性下降或使用寿命缩短等。如上图所示：晶诺威科技生产的SMD2016无源贴片晶振的激励功率典型值为10μw ，最大值为100μW。