• 8MHz晶振匹配电容是22pF还是20pF?
    2024-02-27
    8MHz晶振匹配电容是22pF还是20pF? 答:8MHz晶振的匹配电容具体是多少pF是由其本身电气参数负载电容(CL)及所在电路板上的杂散电容(Cs)共同决定的。 一般情况下,我们把电路板上的杂散电容(Cs)按照3~5pF计算的话,晶诺威科技建议如下: 如果所选8MHz负载电容CL=12PF,建议…
  • 如何检测无源晶振过驱?晶振过驱怎么办?
    2023-08-15
    如何检测晶振过驱?晶振过驱怎么办?晶诺威科技建议如下: 晶振过驱测量方法 给电路板正常通电后,借助示波器来检测晶振频率输出脚: 如果检测到非常清晰的正弦波,且正弦波的上限值和下限值都符合时钟输入需要,则晶振未被过分驱动; 如果正弦波形的波峰,波谷两端被削平,而使波形成为方形,则晶振被过分驱动。这时就…
  • 晶振过驱的后果是什么?
    2023-07-14
    晶振过驱的后果是什么? 答:晶振过驱将加速晶振接触电镀的消耗,因此引起频率上升,并最终导致晶振提前失效。 关于晶振电路中的电阻与电容 与晶振串联的电阻Rd(一般为几十Ω),常用来预防晶振过驱。 并联在晶振上的两颗电容(一般在12~33pF之间,具体请参考晶振本身负载电容及电路板杂散电容值)主要用于微…
  • 晶振皮尔斯振荡电路中的Rs,Rf,C1和C2的作用与取值说明
    2023-06-01
    关于晶振皮尔斯振荡电路中的Rs,Rf,C1和C2的作用与取值,晶诺威科技解释如下: In general, the smaller the value of Rs , the faster the oscillator will start. Rs must be large enough to a…
  • 选择MCU无源晶振及外部器件的简易指南
    2023-02-17
    选择MCU无源晶振及外部器件的简易指南,介绍如下: 第一步:增益裕量(Gainmargin)计算 选择一个晶振(参考MCU的数据手册确定晶振的频率)。 计算晶振的增益裕量(Gainmargin)并检查其是否大于5。 如果Gainmargin <5,说明这不是一个合适的晶振,应当再挑选一个低ES…
  • ESR(等效串联电阻)在石英晶体电路中的重要性
    2023-02-16
    关于ESR(等效串联电阻)在石英晶体电路中的重要性,说明如下: ESR(等效串联电阻)是同相交流电阻之和,它包括在特定频率下的介质、板材和终端引线的电阻。ESR的作用类似于与电容器串联的电阻器。 首先要说明的是,这不是一个被测量的参数,而是一个从等效晶体电路导出的数字。然而,实际测量的谐振电阻参数相…
  • 晶振电路的外部电阻R Ext计算公式
    2021-11-15
    晶振电路外部电阻R Ext的作用是限制晶振电路的驱动大小,防止晶体被过分驱动造成晶体老化或损坏。并且它与CL2构成一个低通滤波器,以确保振荡器的起振频点在基频而不是其它倍频频点。如果芯片商给出的晶振电路的驱动功率小于1mw,那么R Ext就不需要使用了,它的值可以是0欧姆;如果芯片商给出的晶振电路的…
  • 晶振串联电阻与晶振并联电阻的四个重要作用
    2021-09-30
    晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用: 1、并联电阻取值影响波形的脉宽; 2、并联电阻降低谐振阻抗,使无源晶振易启动; 3、并联配合IC内部电路组成负反馈、移相,使放大器工作在线性区; 4、串联电阻限流,防止无源晶振被过驱动。但是串联电阻过大会导致晶振停振,无波形输出。 晶诺威科技解释如下: 并联电阻的…
  • 如何通过串联电阻降低晶振相噪phase noise,避免输出波形output waveform失真?
    2021-08-05
    串联电阻降低晶振相噪(phase noise)避免输出波形(output waveform)失真方法介绍 主要分为连接串联电阻与连接终端电阻两部分: 连接串联电阻: 晶振连接输入对象的元器件时,通常产生过冲、下冲或振铃等波形变形。这些变形的波形中含有振荡频率的约3-7倍的射频成份,将引发相噪,所以必…
  • 在振荡电路中晶振的电阻,阻抗和负性阻抗是什么?
    2020-11-07
    首先,电阻,阻抗和负性阻抗的单位都是欧姆 (Ω)。 晶振电阻 了解晶振的电阻之前,咱们先了解一下什么是电阻: 电阻:(英文:Resistor) 英文简称: R 电阻指的是在电路中,限制它所在电路中支路电流大小的物质或电子元器件,通常用“R”表示。 其实,电阻也是晶振本身的一个电气参数。在晶振的电路应…
电话:0755-23068369