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无源贴片晶振 SMD3225 26MHz 12pF外接电容多少pF?
2024-07-10无源贴片晶振 SMD3225 26MHz 12pF外接电容多少pF? 答:无源贴片晶振 SMD3225 26MHz CL=12pF,若PCBA杂散电容估算为3~5pF,建议电路中的外接电容器(CL1=CL2)≈15~18pF。外接电容等值选取(CL1=CL2),更有利于振荡电路的稳定性。 另外,若晶… -
晶振电路中串联等效电阻(ESR)与串联电阻(Rs)的区别
2024-06-11关于晶振电路中串联等效电阻(ESR)与串联电阻(Rs)的区别,晶诺威科技解释如下: 在无源晶振应用电路中,晶振的串联等效电阻(Equivalent Series Resistance,简称ESR)指的是晶振本身的电阻;而串联电阻(Series Resistance ,简称Rs/Rext)指的则是一个… -
什么是晶振的等效电阻、ESR、RR或内阻?
2023-08-21什么是晶振的等效电阻、ESR、RR或内阻? 答:晶振的等效电阻、等效串联电阻、ESR、RR或内阻,都可看作是晶振的谐振电阻,只是各个厂家的叫法不同而已。 解释: 在电路应用中,晶振可以等效为一个电阻,即晶振的谐振电阻。晶振的谐振电阻越小越好,因为电阻越小晶振越容易起振。遇到负性阻抗较小的起振电路,则… -
晶振内阻大小对起振电路有什么影响?
2023-05-12晶振内阻大小对起振电路有什么影响? 答:晶振内阻越大,晶振越不易起振。 解释如下: 晶振内阻,又名晶振电阻(Rr)或谐振电阻,单位为Ω,指的是晶振本身的电阻值。理论上讲,这个数值越小越好,因为电阻值越大,晶振起振需要的功耗则越大。在电流(激励功率)不变的情况下,晶振电阻过大,就容易造成自身起振困难,… -
ESR(等效串联电阻)在石英晶体电路中的重要性
2023-02-16关于ESR(等效串联电阻)在石英晶体电路中的重要性,说明如下: ESR(等效串联电阻)是同相交流电阻之和,它包括在特定频率下的介质、板材和终端引线的电阻。ESR的作用类似于与电容器串联的电阻器。 首先要说明的是,这不是一个被测量的参数,而是一个从等效晶体电路导出的数字。然而,实际测量的谐振电阻参数相… -
贴片晶振SMD3225-24M-9PF频率及电阻温测数据
2022-12-21(贴片晶振SMD3225-24M-9PF在温测中的频率变化) (贴片晶振SMD3225-24M-9PF在温测中的电阻变化) 贴片晶振SMD3225-24M-9PF频率及电阻温测数据如下: 针对晶振单体温测的必要性: 1、确保晶振在指定工作温度区间内没有发生电阻跳变,防止晶振起振困难或停… -
晶振等效阻抗ESR的大小对晶振起振的影响
2022-06-27晶振等效阻抗ESR的大小对晶振起振的影响,解释如下: 等效阻抗 英文简称:ESR 英文全称: Equivalent Series Resistance 在无源晶振电气参数中,等效阻抗ESR是一个非常重要的电气参数。若等效阻抗ESR过大超差,会带来三方面的不良影响: 1、无源晶振起振困难/慢 2、无源… -
一种常用的测试裕量方法介绍:负性阻抗测试
2022-06-15(负性阻抗测试) 在晶振电路中的同等条件下,增大电容负载,会降低裕量;提高反向放大器的跨导,会增大裕量;晶振内阻越大,裕量越小。反之亦然。 在真实的大规模生产中,最常用的测试裕量的方法是负阻测试,具体操作步骤如下: 在晶振支路上串联一个电阻,这个阻值的大小一般为3到5倍的晶振内阻(如果是医疗或汽车级… -
引发晶振电阻跳变原因之一:晶片不良放大图
2022-03-02引发晶振电阻跳变原因之一:晶片制程不良 1、晶片不良区域 2、晶片不良区域经更大倍数放大后,显示边缘残缺。 分析及结论: 石英晶片是石英晶振的核心部件,当晶振(包括石英晶片)制程发生不良,如出现晶片残缺、晶片平滑度不达标、镀银前晶片洁净度不达标、镀银工艺不达标、镀银后晶振内部洁净度不达标(其中包括微… -
晶振频率及/或电阻跳变引发开机不良原因分析
2022-02-28针对晶振不良品(5pcs)温测(-40℃~125℃),数据显示在指标内不同低温段及高温段,晶振出现频率跳变及/或电阻跳变现象: 针对晶振不良品开盖观测,发现石英晶片表面附着异物,如下图所示: 石英晶片表面附着异物放大图: 关于晶振电阻跳变问题,晶诺威科技分析如下: 引发晶振频率跳变及/…