关于如何测量晶振的电阻，晶诺威科技解释如下： 测量晶振的“电阻”需要特别注意，因为普通晶振（无源石英晶体谐振器）在静态下并非一个简单的电阻元件。 简单来说，你不能像测量普通电阻那样，用万用表的电阻档去直接测量一个晶振的好坏。这样做通常读数会是“无穷大”（开路），但这不能证明晶振是坏的；反之，如果测出…

时间：2026/01/17

（32.768KHz石英晶体谐振器 SMD3215低电阻系列） 关于负载电容CL和等效串联阻抗ESR对无源晶振功耗的影响，晶诺威科技解释如下： 负载电容（CL）和等效串联电阻（ESR）是决定无源晶振（石英晶体谐振器）工作特性的两个关键参数，它们会直接影响晶振的功耗（主要表现为驱动电平DL和电流消耗）…

时间：2026/01/16

什么是晶振的负阻特性（Negative Resistance）？ 晶振的负阻特性（Negative Resistance）是指振荡电路中，有源器件（如反相器、放大器）所呈现出的等效负阻抗特性。它是维持石英晶体振荡器稳定工作的关键因素。 核心概念 正电阻（常规电阻）：消耗能量，使信号衰减。 负电阻（负…

时间：2026/01/11

晶体谐振器匹配试验项目主要有哪些？ 答：主要有频率偏差、驱动功率和负性阻抗三项。 1、频率偏差 通过计算晶体谐振器自身频率与PCB上板后的频率偏差,决定晶体CL负载电容的选型，与频率中心点的制定保证产品上板后频率达到最佳状态运行。 2、驱动功率 计算PCB设计成型后的驱动功率，确保驱动功率在合理范围…

时间：2025/08/01

低电源设计会对振荡器产生什么影响？ 低电源设计对振荡器的影响主要体现在高频振荡器（OSCILLATOR）的设计上。这主要带来两个问题： 在设计高频OSCILLATOR时，可能会面临放大器低的高频增益及高的CRYSTAL等效电阻（ESR）。也就是说，低电源设计可能使得振荡器在高频下的性能受到影响，可能…

时间：2024/03/06

关于无源晶振在电路中的使用条件，晶诺威科技归纳如下： 1、驱动级别（Drive level/DL） 如果晶振的激励功率标注为“100μW max.”，则意味着如果驱动功率太高（如：大于100μW），可能会导致晶体谐振器异常振荡或损坏）。 2、负载电容（Capacitance Load/CL） 要求电…

时间：2024/03/05

一、为什么要测量晶振的负性阻抗-R？ 测量负性阻抗目的是避免振荡器无法起振，振荡器无法起振的原因是负性阻抗宽裕度不够导致，为避免此现象发生于设计时负性阻抗一般至少是ESR的三倍（或五倍）以上，反之若负性阻抗太小时，则会发生偶尔不起振的现象。 石英晶体谐振器的两端往振荡电路看过去，排除石英晶体谐振器以…

时间：2023/12/13

关于无源晶振（晶体谐振器）起振电路中的等效串联电阻Rs (ESR: Equivalent Series Resistance) 与负阻Negative Resistance，晶诺威科技解释如下： Rs or equivalent series resistance (ESR) is a parame…

时间：2023/06/16

石英晶体振荡器的振幅条件是振荡起动及能正常持续振荡的条件，回路上的负性电阻绝对值│-R│。 负性电阻 |- R| = Rtest + Re Rtest=与晶振串联连接纯电阻 Re=振荡时的有效电阻=R1(1+C0/CL)^2 建议振荡宽限为晶振等效串联电阻RR的5倍之上：│-R│≥ 5RR；电路进入…

时间：2022/07/04

（负性阻抗测试） 在晶振电路中的同等条件下，增大电容负载，会降低裕量；提高反向放大器的跨导，会增大裕量；晶振内阻越大，裕量越小。反之亦然。 在真实的大规模生产中，最常用的测试裕量的方法是负阻测试，具体操作步骤如下： 在晶振支路上串联一个电阻，这个阻值的大小一般为3到5倍的晶振内阻（如果是医疗或汽车级…

时间：2022/06/15