晶振过驱时外接电容增大还是减小？

答：外接电容只能调小（如15pF改为12pF），功率才会下降，但最好是增加串联电阻。

（REXT为串联电阻位置）

为什么不建议去调电容？

电容影响的是频率，而非驱动功率：外接电容的主要作用是匹配晶振的标称负载电容（CL），以确保频率准确。调整电容虽然能微调频率，但并不是解决过驱问题的直接手段。

减小电容会让频率偏高：

从频率调整的角度看，如果你尝试用减小电容的方法来“解决”过驱，它的实际效果是升高振荡频率。但这只是“副作用”，并不能解决过驱的本质。

正确的“药方”：串联电阻

当晶振被过驱时（如：实测激励功率超过了无源晶振300 uw max.），正确的做法是在晶振的输出引脚（Xout）与IC之间串联一个几十欧姆的电阻（Rs）。这个电阻的作用是限流，直接限制流过晶振的电流和功率，从而将过大的振荡幅度降低到安全、正常的水平。