（8MHz晶振应用电路）

问题描述：

客户反映8MHz无源晶振偶尔发生不起振现象。芯片手册提供的8MHz晶振应用电路图如上：

8MHz晶振正常起振时，如下：

8MHz晶振不起振，如下：

不良现象描述：

当晶振不起振时，开机系统无法捕捉到HSE外部晶振（8MHz晶体谐振器）提供的时钟信号，造成自动去获取HSI内部时钟信号，引发系统紊乱，开机失效。

原因分析：

根据芯片手册提供的8MHz晶振参考电路，可知晶振外接电容C401=C402=15pF，以电路板杂散电容Cs为3~5pF来计算，根据电容匹配公式得出8MHz晶振的负载电容（CL）约为10~12pF。

客户端8MHz晶振实际参数：

晶振负载（CL）:20pF

外接电容：C401=C402=27pF

由此可见差异：

客户所选晶振型号与芯片手册推荐参数存在差异。更大负载晶振意味着需要芯片提供更大的驱动力；反之，针对负载较小的晶振，芯片提供较小的驱动力。如果为较小驱动力的芯片匹配负载较大的晶振，在驱动临界值时则可能导致晶振起振时间延长或停振，引发系统无法捕捉到时钟信号问题。驱动临界发生因素来自多方面，如：温度变化和/或杂散电容变化均可导致芯片对大负载晶振驱动力不足。通常芯片对晶振负载电容都有明确要求，如：5~25pF。显然C401=C402=27pF已经超出这个范围。

解决方案：

更换晶振参数如下：

晶振负载（CL）:12pF

外接电容：C401=C402=15pF

经观察，不良现象不再重现。

结论：

在无源晶振应用电路中，负载电容和ESR较低的晶体启动较快。另外，请严格根据芯片手册对晶振进行选型。