关于采样率(Sampling Rate)与晶振频率(Frequency)选型，晶诺威科技解释如下： 1、采样率(Sampling Rate) 采样率(Sampling Rate)用于描述将模拟信号转换为数字信号时，每秒采集多少个数据点。其单位为Hz。采样率决定了信号还原的清晰度。采样率越高，信号捕捉…

时间：2025/07/27

8MHz晶振的频率范围是多少？ 晶诺威科技产8MHz晶振的常见频率范围如下： ±1ppm: 7.999992MHz-8.000008MHz ±2ppm: 7.999984MHz-8.000016MHz ±5ppm: 7.999960MHz-8.000040MHz ±10ppm: 7.999920MH…

时间：2025/06/14

（晶诺威科技产8MHz无源贴片晶振SMD3225-4P尺寸及内部电路连接图） 晶诺威科技产负载电容CL=10pF 8MHz晶振（SMD3225）主要电气参数如下： Nominal frequency标称频率: 8MHz Mode of oscillation振荡模式: fundamental基频 L…

时间：2025/06/11

（晶诺威科技产8MHz无源贴片晶振SMD3225-4P尺寸及内部电路连接图） 晶诺威科技产负载电容CL=12pF 8MHz晶振（SMD3225）主要电气参数如下： Nominal frequency标称频率: 8MHz Mode of oscillation振荡模式: fundamental基频 L…

时间：2025/05/28

体谐振器动态电容C1的大小对频偏有什么影响？ 答：晶体谐振器的动态电容（C1）是影响其频率稳定性和频偏（频率偏移）的关键参数之一。它与晶体的等效电路模型密切相关。 （动态电容C1测试数据：SMD3225无源贴片晶振8MHz 10pF  ±20ppm） 关于晶体谐振器动态电容C1的大小对频偏的影响，晶…

时间：2025/05/23

（晶诺威科技产8MHz无源贴片晶振SMD3225-4P尺寸及内部电路连接图） 晶诺威科技产负载电容CL=8pF 8MHz晶振（SMD3225）主要电气参数如下： Nominal frequency标称频率: 8MHz Mode of oscillation振荡模式: fundamental基频 Lo…

时间：2025/05/22

（KDS 无源晶振SMD3225-4P 8MHz 尺寸及引脚使用说明） MAIN SPECIFICATION晶振主要电气参数 Product Name产品名称：CRYSTAL RESONATOR 晶体谐振器 品牌：KDS Type晶振型号：DSX321G Nominal Frequency标称频率：…

时间：2025/04/27

8MHz无源晶振外接电容用20pF还是22pF？ 答：通常，20pF和22pF的差异不大，但需根据具体情况进行调整。 关于8MHz无源晶振电路中电容的选择，晶诺威科技进一步分析如下： 8MHz晶振的外接电容选择，主要取决于晶振的负载电容（CL）要求以及电路中的杂散电容（Cstray）总量。而晶振的负…

时间：2025/03/31

8MHz晶振对电容有要求吗？ 答：8MHz晶振对电容有要求，具体取决于晶振的类型（无源晶振或有源晶振）以及电路设计。 以下是不同情况下的电容要求： 1、无源晶振（晶体谐振器） 无源晶振需要外部电容来辅助起振，电容值的选择对振荡电路的稳定性和频率精度至关重要。 负载电容（Load Capacitanc…

时间：2025/03/18

Test data for CMOS output 8MHz TCXO-DIP8  ±0.25PPM as below:

时间：2025/03/13