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负载电容CL=12pF 8MHz晶振(SMD3225)测试数据及温测数据
2025-05-28(晶诺威科技产8MHz无源贴片晶振SMD3225-4P尺寸及内部电路连接图) 晶诺威科技产负载电容CL=12pF 8MHz晶振(SMD3225)主要电气参数如下: Nominal frequency标称频率: 8MHz Mode of oscillation振荡模式: fundamental基频 L… -
晶体谐振器动态电容C1的大小对频偏有什么影响?
2025-05-23体谐振器动态电容C1的大小对频偏有什么影响? 答:晶体谐振器的动态电容(C1)是影响其频率稳定性和频偏(频率偏移)的关键参数之一。它与晶体的等效电路模型密切相关。 (动态电容C1测试数据:SMD3225无源贴片晶振8MHz 10pF ±20ppm) 关于晶体谐振器动态电容C1的大小对频偏的影响,晶… -
负载电容CL=8pF 8MHz晶振(SMD3225)测试数据及温测数据
2025-05-22(晶诺威科技产8MHz无源贴片晶振SMD3225-4P尺寸及内部电路连接图) 晶诺威科技产负载电容CL=8pF 8MHz晶振(SMD3225)主要电气参数如下: Nominal frequency标称频率: 8MHz Mode of oscillation振荡模式: fundamental基频 Lo… -
无源晶振SMD3225-4p 8MHz 12pF KDS 料号1C208000BC0R
2025-04-27(KDS 无源晶振SMD3225-4P 8MHz 尺寸及引脚使用说明) MAIN SPECIFICATION晶振主要电气参数 Product Name产品名称:CRYSTAL RESONATOR 晶体谐振器 品牌:KDS Type晶振型号:DSX321G Nominal Frequency标称频率:… -
8MHz无源晶振外接电容用20pF还是22pF?
2025-03-318MHz无源晶振外接电容用20pF还是22pF? 答:通常,20pF和22pF的差异不大,但需根据具体情况进行调整。 关于8MHz无源晶振电路中电容的选择,晶诺威科技进一步分析如下: 8MHz晶振的外接电容选择,主要取决于晶振的负载电容(CL)要求以及电路中的杂散电容(Cstray)总量。而晶振的负… -
8MHz晶振对电容有要求吗?
2025-03-188MHz晶振对电容有要求吗? 答:8MHz晶振对电容有要求,具体取决于晶振的类型(无源晶振或有源晶振)以及电路设计。 以下是不同情况下的电容要求: 1、无源晶振(晶体谐振器) 无源晶振需要外部电容来辅助起振,电容值的选择对振荡电路的稳定性和频率精度至关重要。 负载电容(Load Capacitanc… -
晶振测试数据:CMOS 8MHZ TCXO-DIP8 ±0.25PPM
2025-03-13Test data for CMOS output 8MHz TCXO-DIP8 ±0.25PPM as below: -
8MHz晶振可以用18pF电容吗?
2024-12-158MHz晶振可以用18pF电容吗? 答:如果8MHz晶振本身负载电容(CL)为12~15pF,建议外接电容选择18pF(CL1=CL2=18pF)。 -
晶振属于内部时钟还是外部时钟?
2024-11-17晶振属于内部时钟还是外部时钟? 答:晶振属于外部时钟。 晶诺威科技解释如下: 晶振分为无源晶振(晶体谐振器/crystal resonator)和有源晶振(晶体振荡器/crystal osillator)两种。时钟分为低速时钟和高速时钟两种。因此,外部时钟分为外部低速时钟(LSE:low speed…