（晶诺威科技产VC-TCXO-PXO14压控温补晶体振荡器测试电路范例：CMOS/SINE WAVE） 关于245.760MHz VC-TCXO压控温补晶振Sinewave正弦波输出，晶诺威科技介绍如下： Parameter Min Typ. Max Unit Condition Frequency…

时间：2025/06/01

（晶诺威科技产 Crystal Oscillator晶体振荡器OSC3225封装尺寸及引脚说明） 关于180MHz Crystal Oscillator晶体振荡器CMOS Output电气参数，晶诺威科技介绍如下： 电气参数详情： Parameter Min Typ. Max Unit Condit…

时间：2025/05/31

晶振的输入端能直接接地吗？ 答：晶振的输入端（通常为XTAL或OSC引脚）不能直接接地，否则会导致电路无法正常工作。 无源晶振输入端必须接入振荡回路，绝对不可直接接地。正确连接负载电容和反馈电路是关键。如有疑问，优先查阅芯片和晶振的规格书。 以下是来自晶诺威科技的详细解释： 1、 晶振的工作原理 晶…

时间：2025/05/30

（32MHz晶振输出波形---正弦波） 无源晶振两端都有波形吗？ 答：无源晶振两端通常都会有波形---正弦波（Sine wave）。 正常工作时：两端都应测到正弦波波形，但驱动端和反馈端的波形形状、幅度可能不同。 异常情况：若一端无波形，需检查电路设计、负载电容匹配或晶振是否损坏。 （贴片晶振SMD…

时间：2025/05/29

（8MHz晶振SMD3225系列） 晶诺威科技产负载电容CL=12pF 8MHz晶振（SMD3225）主要电气参数如下： Nominal frequency标称频率: 8MHz Mode of oscillation振荡模式: fundamental基频 Load capacitance负载电容: …

时间：2025/05/28

关于晶振的等效串联电阻和谐振串联电阻的区别，晶诺威科技解释如下： 晶振的等效串联电阻（ESR，Equivalent Series Resistance）和谐振串联电阻（Rs）是描述晶振性能的重要参数，二者密切相关但存在区别。以下是详细解释： 1、 等效串联电阻（ESR） 定义：ESR 是晶振在谐振频…

时间：2025/05/28

关于32.768KHz低频时钟晶振会发出声音原因，晶诺威科技分析如下： 一、 压电效应导致的机械振动 32.768KHz晶振基于压电效应工作，当施加交变电压时，石英晶片会产生微小的机械振动。 1、 32.768KHz晶振激励功率过大，造成寄生振荡，建议不要超过1μW； 2、 尝试增大外接负载电容3~…

时间：2025/05/27

关于无源晶振起振与停振现象，晶诺威科技解释如下： 无源晶振（晶体谐振器）的起振与停振是电路设计中需要重点关注的现象，以下是详细分析： 一、 晶振起振过程 1. 起振条件 环路增益 ≥1：振荡电路的放大环节（如反相器、晶体管）需提供足够增益，补偿晶振和电路的损耗。 相位匹配：环路总相位偏移必须为360…

时间：2025/05/26

关于“辐射不是由晶振直接造成”的解释如下： 晶振个体较小，它直接影响的是近场辐射（表现为晶振与其他导体(如参考接地板)之间形成的寄生电容），造成远场辐射的直接因素是电缆或产品中最大尺寸与辐射频率波长可以比拟的导体;此外，将晶振外壳接地可以在一定程度上减少这种干扰叠加到系统上。 时钟晶体和相关电路应布…

时间：2025/05/25

关于有源晶振五个关键电气参数，晶诺威科技解释如下： 1、Supply Voltage 指：供电电压 如： 1.8V、2.5V、3.3V、5V等 另外，还存在宽压供电系列，如：1.8~3.3V、3.3V~5V等。 2、Frequency Temperature Stability 指：在指定工作温度范…

时间：2025/05/24