（串联电阻 VS 等效串联电阻） 晶振电路：等效串联电阻ESR和串联电阻的区别是什么？ 无源晶振，即晶体谐振器，晶体属于半导体器件。用万用表测试无源晶振单体，其频率管脚之间是不导通的。等效串联电阻ESR是一个“等效”出来的、虚拟的模型参数，用来描述一个非理想元件的损耗特性。换句话说，ESR是计算出来…

时间：2026/01/18

什么是晶振的负阻特性（Negative Resistance）？ 晶振的负阻特性（Negative Resistance）是指振荡电路中，有源器件（如反相器、放大器）所呈现出的等效负阻抗特性。它是维持石英晶体振荡器稳定工作的关键因素。 核心概念 正电阻（常规电阻）：消耗能量，使信号衰减。 负电阻（负…

时间：2026/01/11

CMOS输出的晶振能接LVTTL逻辑吗？ 可以，但通常需要串联一个电阻。 一、电平标准回顾 CMOS输出晶振： 通常指输出电平符合CMOS逻辑标准的晶振。对于3.3V供电的晶振，其输出高电平（Voh）非常接近3.3V，低电平（Vol）非常接近0V。它的输出驱动能力较强，边沿非常陡峭。 LVTTL输入…

时间：2025/11/08

外部晶振的频率误差受匹配电容和电阻的影响吗？ 答：会的。若电容和电阻不匹配，可能造成外部晶振输出频率误差过大，严重时导致其起振困难或直接停振。 如下图（以最常见的皮尔斯振荡电路）为例： CL1和CL2为匹配电容，又叫外接电容；Rext为匹配电阻，又叫串联电阻。

时间：2025/06/07

关于晶振的等效串联电阻和谐振串联电阻的区别，晶诺威科技解释如下： 晶振的等效串联电阻（ESR，Equivalent Series Resistance）和谐振串联电阻（Rs）是描述晶振性能的重要参数，二者密切相关但存在区别。以下是详细解释： 1、 等效串联电阻（ESR） 定义：ESR 是晶振在谐振频…

时间：2025/05/28

晶振Drive Level 10μW Typ. 100μW. Max.是什么意思？ 答：Drive Level属于无源晶振（晶体谐振器）关键参数之一，中文为“激励功率”的意思。 10μW Typ.为典型值； 100μW. Max.为最大值。 若芯片为无源晶振提供的激励功率大于其标称激励功率，就有可能…

时间：2025/05/09

晶振停振会导致死机吗？ 答：晶振停振是导致死机的典型硬件故障之一，尤其在依赖单一时钟源的系统中。 晶振停振会导致设备死机或无法正常工作，晶诺威科技分析原因如下： 1、 晶振的核心作用 系统时钟源 晶振为CPU、总线、外设等提供基准时钟信号。若停振，数字电路将失去同步时钟，导致指令无法执行、数据传输中…

时间：2025/05/02

晶振激励功率调整电阻位于“in”还是“out”？ 答：调整电阻位于晶振电路的“out”端。 如下图（REXT位置）所示：

时间：2025/02/16

芯片手册中32.768KHz晶振ESR和RS有什么区别？ 答：ESR指的是串联等效电阻，RS指的是串联电阻。 具体来讲，ESR可以看做是在振荡电路中晶振所体现的阻抗特性（约等于晶振本身的电阻）。而RS则指的是与晶振串联的电阻器件，其目的是降低电流强度，以免激励功率过大而造成对晶振的损坏。 一般情况下…

时间：2024/11/24

16MHz晶振的串联电阻一般多大？ 答：若16MHz无源晶振电路不存在过驱，则不需要串联电阻（Rext/阻尼电阻/Damping resistor）。如果存在诸如正弦波波形被削平等过驱（OVER DRIVEN）现象，才需要增加串联电阻，其阻值一般为几十欧姆。需要注意的是，如果串联电阻过大，可能造成晶…

时间：2024/10/30