关于无源晶振在电路中的使用条件，晶诺威科技归纳如下： 1、驱动级别（Drive level/DL） 如果晶振的激励功率标注为“100μW max.”，则意味着如果驱动功率太高（如：大于100μW），可能会导致晶体谐振器异常振荡或损坏）。 2、负载电容（Capacitance Load/CL） 要求电…

时间：2024/03/05

（蓝牙板上的24MHz晶振M49SMD） 24MHz晶振外接电容是多少pF？ 答：24MHz晶振的外接电容要根据其负载电容（CL）和电路板上杂散电容（Cs）来确定。晶振的负载电容（CL）一般由芯片方案指定。 一般情况下，假设杂散电容Cs=3~5pF，晶诺威科技建议： 1、当晶振负载电容CL=9PF时…

时间：2024/03/01

晶振负载电容不匹配会有什么影响？ 答：可能导致晶振输出频率超差或波形幅度不足。 晶诺威科技建议，请严格根据IC手册选取晶振负载参数。若因电容不匹配，造成晶振频率超差，波形幅度不足或不起振等问题，可直接咨询我司在线客服。 注：CL指的是晶振本身电气参数（晶振规格书），CL1和CL2指的是晶振外围电路中…

时间：2023/11/21

无源晶振不起振怎么办？晶诺威科技建议如下： 首先，建议把晶振不良品交由晶振供应商，针对晶振单体的关键电气参数进行测试。根据测试数据，确定晶振合格(如负载电容CL、激励功率DL、等效阻抗ESR及DLD2等)之后，再转向晶振实际应用方向。 若无源晶振本身无异常却出现不起振现象，晶诺威科技归纳具体原因如下…

时间：2023/09/05

若晶振负载电容CL=18pF,外接电容分别为多大？ 答：若电路板杂散电容为3~5pF的话，建议外接电容等值选取，分别为27pF左右。 解释： 因为电路板之间杂散电容存在差异，请以晶振实际输出为准来调整外接电容的大小。

时间：2023/09/04

TS值对晶振的频率影响是什么？ 答：TS值指的是晶振负载电容的变化对晶振输出频率的影响程度（Trim Sensitivity Over Load），表达式为：ppm/pF 晶诺威科技解释如下： 如上图所示，在该无源晶振32MHz测试数据中，红色箭头指的是该晶振的TS值，如果晶振#1的TS=14.69…

时间：2023/09/01

SMD3225无源贴片晶振12PF和20PF有什么区别？ 答：针对无源晶振（晶体谐振器/Crystal/Resonator）而言，其负载电容CL不同，会导致外接电容大小也不一样。在外接电容匹配错误的情况下，无源晶振容易发生频率偏差过大或起振慢等问题。 从应用方案来看，晶振的负载电容CL是由其关联芯片…

时间：2023/06/14

关于晶振皮尔斯振荡电路中的Rs，Rf，C1和C2的作用与取值，晶诺威科技解释如下： In general, the smaller the value of Rs , the faster the oscillator will start. Rs must be large enough to a…

时间：2023/06/01

芯片手册要求晶振负载电容是8pF是什么意思？ 答：意思是说在晶振选型时，请选择负载电容CL=8pF的石英晶体谐振器，即无源晶振。 解释： 在无源晶振选型时，负载电容CL为无源晶振重要电气参数之一。常见负载电容有6PF、8PF、9PF、12.5PF、9PF、12PF、15PF、18PF、20PF等多种…

时间：2023/05/26

关于SMT32可选的时钟源说明如下： 在STM32中，可以用内部时钟，也可以用外部时钟，但在要求精度高的应用场合最好用外部晶体振荡器，因为内部时钟存在很大精度误差。 准确的来说有4个时钟源可以选，分别是HIS、LSI、HSE、LSE(即内部高速，内部低速，外部高速，外部低速)，高速时钟主要用于系统内…

时间：2023/05/16