负载电容CL

  • 关于无源晶振与有源晶振的负载说明
    关于无源晶振与有源晶振的负载说明,解释如下: 首先,晶振分无源晶振和有源晶振。 对于无源晶振,也叫晶体。无源晶振需要有外加的电路才能起振,所需负载一般和使用环境有关(如电路设计,芯片方案等),常见负载CL范围为7pF~20pF。负载电容影响晶振工作频率。负载电容的选择要根据晶振规格和电路来确定。比如…
    时间:2022/07/25
  • 负载电容CL选择错误导致32.768KHz晶振时间不准或停振
    如上图所示,在某一款芯片对晶振32.768KHz规格要求中,晶振主要电气参数如下: 标称频率Nominal Frequency: 32.768KHz 负载电容CL: 8PF 等效电阻ESR:40KΩ 工作温度范围Operating Temperature Range:-40~+85℃ 频率稳定度Fr…
    时间:2022/06/13
  • 如何通过晶振手册看晶振频率及负载电容?
    举例,某晶振手册如下: 通过上图晶振手册,我们可以看出晶振频率就是标称32.768KHz。若选取晶振负载CL(load capacitance)=12.5PF,负载电容大体可以按下面的计算,其中C1、C2取值要使得最终CL满足晶振手册中的12.5pF。例如C1、C2可取15pF~22pF左右。 关于…
    时间:2022/06/06
  • How to calculate the CL? 如何计算负载电容CL?
    (皮尔斯晶振振荡电路) How to calculate the CL? 如何计算负载电容CL? Use this formula to approximate the value of capacitors needed: 使用下面公式来估算所需的负载电容值: CL=((C1 x C2) / (C…
    时间:2022/04/19
  • 单片机的晶振电路原理和作用是什么?
    (无源贴片晶振8MHz产品图) 晶振是电子元器件中很重要的一个元器件,用于各种电路中,产生振荡频率。绝大多数的单片机中少不了晶振的存在。 单片机有内部时钟方式和外部时钟方式两种: 1、单片机的XTAL1和XTAL2内部有一片内振荡器结构,但仍需要在XTAL1和XTAL2两端连接一个无源晶振和两个电容…
    时间:2022/02/16
  • 关于不需要匹配外接电容的无源晶振电路说明
    石英晶振谐振器(X’tal/Crystal/Resonator)作为一种用途广泛的频率元件,晶振生产厂家一般都会在晶振规格书中列出标称频率、调整频差、温度频差、工作温度、负载电容CL(Load Capacitance)、等效阻抗、激励功率等基本电气参数,有的晶振厂家还会提供静态电容(Shunt Ca…
    时间:2022/01/11
  • 晶振内部结构图解与无源晶振常见负载电容匹配建议
      无源晶振负载电容CL与外接电容关系 注: 杂散电容值的大小与电路板布线有关,上图取值范围为2~5pF,仅供参考。
    时间:2022/01/07
  • 频率误差:有效电容与负载电容/动态电容/静态电容之间的关系
    许多晶体(石英晶体谐振器/无源晶振)需要在施加负载电容条件下工作,以便与电容电阻等元件构成一个稳定且精准的振荡器电路。负载电容定义为施加在晶体两个管脚(频率输入脚与频率输出脚)之间的来自晶体外围电路的所有有效电容,如下图所示。  在晶体的振荡电路设计时,请务必参照晶振规格书中指定的负载电容这个参数。…
    时间:2021/12/26
  • 晶振的牵引率Pullability及TS敏感度Trim Sensitivity
    晶振的牵引率(Pullability)及敏感度(Trim Sensitivity)解释如下: (晶振TS曲线) 石英晶振应用在并联振荡线路上,振荡频率与负载电容CL有很大的关系,是以并联振荡线路上FL频率对负载电容CL的变化曲线。 频率的“牵引率”(Pullability)指的是负载电容CL1的频率…
    时间:2021/11/30
  • 32.768KHz晶振负载电容CL选错导致晶振不起振案例分析
    (SMART LOCK:智能锁) 客户反馈在批量生产阶段,32.768KHz晶振不起振,导致所生产的智能锁开机系统紊乱,无法正常使用。 通过与客户沟通,了解到:该类型智能锁开机后,芯片捕捉32.768KHz晶振提供的时钟信号,完成系统诊断无误后,方可正常开机。问题就发生在芯片捕捉时钟信号失败这个环节…
    时间:2021/11/25
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