晶振参数中的负载电容CL是什么？ 在晶振的振荡电路中，负载电容CL是指连接到无源晶振频率引脚终端上的电容总数。CL值取决于外部电容器CL1、CL2和杂散电容Cs。对于晶振单体而言，负载电容CL则属于它本身重要电气参数之一，由晶振制造商给出，可在晶振数据手册中找到。 负载电容CL，英文为Load Ca…

时间：2020/11/25

晶振的激励功率：指的是已经内设的晶振耗损功率数值。 英文：Drive Level 输入激励功率的大小直接影响着晶振本身的性能，所以电路设计者一定要严格按照要求，在晶振规定的激励功率内，输入其所需功率，以便充分保障晶振的正常工作。 激励功率一般以微瓦（Micro Watt）为单位。近年来，随着晶振生产…

时间：2020/06/28

在PCBA上，我们很容易发现晶振的两端通常都会外接两颗电容。这两个电容叫晶振的外接电容，一般区间是6PF~33PF。这两颗外接电容会直接影响晶振输出频率的精度和稳定性。C1和C2是电路板和包括IC 管脚和晶振在内的组件的总电容值。一般情况下，电路板的杂散电容Cs我们按照3~5PF来估算。 不同负载的…

时间：2020/06/24