晶振的激励功率：指的是已经内设的晶振耗损功率数值。

英文：Drive Level

输入激励功率的大小直接影响着晶振本身的性能，所以电路设计者一定要严格按照要求，在晶振规定的激励功率内，输入其所需功率，以便充分保障晶振的正常工作。

激励功率一般以微瓦（Micro Watt）为单位。近年来，随着晶振生产工艺与技术的快速提升，以及电子产品对晶振在小型化与低功耗方面的更高要求，具备较高激励功率的晶振在一些小型电子产品应用领域开始逐渐趋于边缘化。

电路提供的激励功率过大可能会导致晶振以下不良隐患：

1、石英晶片振幅变大，因此过多的热量产生导致石英晶片振动区域的温度升高。石英晶片本身则产生梯度性温度攀升，直接破坏频率稳定度。

2、由于晶片机械性变形程度可能会超出弹性极限，造成晶格不可恢复性的位移，造成晶振输出频率永久性频偏。更严重的情况下，石英晶片振碎，导致晶振彻底不起振（停振），也就是我们所说的“晶振死了”。

3、造成等效电阻变大(注：一般晶振电阻值为10~100Ω)，影响晶振起振，严重情况下造成晶振停振。

4、导致固着晶片与基座的导电胶受损，比如断裂，后果是造成晶振内部电路断路、晶振停振。

5、导致Q值下降，电阻温度特性和频率温度特性变得不规则，导致不良后果是晶振频率不稳定。

6、导致寄生发生变化，导致晶振跳频，无法提供标配频率。

7、加快晶振在性能方面老化性衰减，导致晶振精确度不稳定。

（晶诺威科技产无源贴片晶振SMD2016电气参数）

提供的激励功率过小可能给晶振带来的不良隐患：

1、晶振不易起振或停振，失去提供频率信号的功能。

2、影响晶振工作的稳定性，无法保证输出稳定的精准频率信号，造成IC捕捉信号失效。

因此，在晶振的使用中,一定要注意以下两点：

1、根据应用领域的不同，请选择合适激励功率的晶振；

2、切不可只为了改变晶振的输出频率，任意改变电路输入给晶振的激励功率的大小。

拓展阅读：石英晶体激励功率过大的危害

石英晶体如果被过大的功率驱动，就像人一直超负荷工作一样，会从内到外产生一系列问题，轻则性能下降，重则直接报废。

具体来说，激励功率过大会带来以下几个层面的危害：

1、 核心损害：物理结构受损

这是最直接也是最严重的危害。过大的激励功率会使石英晶片的机械振动过于剧烈。

晶片振裂：当振动的强度超过晶片的弹性极限时，会导致石英晶片直接振碎。晶片都碎了，晶体自然也就彻底损坏、无法工作了。

内部连接损坏：剧烈的振动还可能使固定晶片和基座的导电胶发生断裂。这会造成内部电路断路，晶体同样会停振。

2、 性能劣化：频率偏移与不稳定

在晶体被彻底损坏之前，其性能已经开始恶化。

永久性频偏：过强的振动可能导致石英晶格发生不可逆的位移，即使停止过驱动，晶体的输出频率也会永久性地偏离标称值。

短期频率波动：过大的功率会使晶片振动区域的温度升高，导致频率稳定度下降，出现短期内的频率漂移。

等效电阻增加：过大的激励会激起晶片不必要的寄生振动，导致其等效电阻变大。这会使得晶振的启动变得更加困难，甚至起振不稳。

3、 长期危害：加速老化

即使过大的功率没有立刻造成损坏，它也会对晶体造成“内伤”。过高的激励会使晶体内部温度升高，这会显著加速晶体的老化效应。老化的直接表现就是，晶体的频率会随着使用时间的推移而发生更快的漂移，大大缩短了其有效使用寿命。

如何应对？

正因为危害如此严重，在电路设计中必须严格控制激励功率。

遵守规格：确保流过晶体的激励功率（通常在100μW以下）不超过数据手册中的额定值。

电路调整：如果实测功率过大，可以通过适当调整振荡电路中的限流电阻（如串联电阻Rd）来降低激励电平。

简单来说，激励功率过大，会让晶体从“频率指挥官”变成一个“失控的运动员”，不仅动作变形（频率不稳），还可能拉伤自己（加速老化），甚至直接骨折（物理损坏）。