负载电容CL

  • 负载电容CL和等效串联阻抗ESR对无源晶振功耗的影响
    (32.768KHz石英晶体谐振器 SMD3215低电阻系列) 关于负载电容CL和等效串联阻抗ESR对无源晶振功耗的影响,晶诺威科技解释如下: 负载电容(CL)和等效串联电阻(ESR)是决定无源晶振(石英晶体谐振器)工作特性的两个关键参数,它们会直接影响晶振的功耗(主要表现为驱动电平DL和电流消耗)…
    时间:2026/01/16
  • 晶振的CL代表用多大的电容吗?
    晶振的CL代表用多大的电容吗? 答:这是一个很常见的误解。晶振的CL(Load Capacitance,负载电容)并不是指需要外接多大的具体某个电容,而是指晶振在设计和出厂校准频率时所依据的一个关键负载电容参数值。电路必须匹配这个值,晶振才能工作在标称频率上。 简单来说:CL是无源晶振的“身份证”参…
    时间:2026/01/12
  • 无源晶振的频率是否可以向晶振厂家定制?
    (晶诺威科技晶振生产车间内景) 无源晶振的频率是否可以向晶振厂家定制? 答:可以,无源晶振(石英晶体谐振器)是可以定制频率的,但这通常有一定条件、流程和额外成本。与标准化、大批量生产的通用频率(如8MHz、12MHz、16MHz、25MHz等)不同,定制频率是为满足特定应用的独特需求而生产的。 一、…
    时间:2026/01/09
  • 关于晶振近端/远端相位噪声(Phase Noise)的解释
    晶振,作为现代电子设备中不可或缺的时钟源,其性能直接关系到整个系统的稳定性和可靠性。在晶振电路设计中,近端和远端的相位噪声(Phase Noise)是评估晶振性能的重要指标。相位噪声反映了信号频率稳定性的质量,即信号中频率成分的随机波动。 一、近端相位噪声 近端相位噪声通常指距离载波频率较近的频率范…
    时间:2025/11/16
  • 32MHz晶振8pF和9pF的区别是什么?
    32MHz晶振(32MHz Resonator)8pF和9pF的区别是什么?晶诺威科技解释如下: 32MHz晶振的8pF和9pF指的是其“负载电容”。简单来说,这个区别的核心在于:为了让晶振精确地在32MHz频率上工作,你需要为它匹配不同的外部电容。 1、负载电容是什么? 对于常用的并联谐振型晶振,…
    时间:2025/11/11
  • 晶体谐振器动态电容C1的大小对频偏有什么影响?
    体谐振器动态电容C1的大小对频偏有什么影响? 答:晶体谐振器的动态电容(C1)是影响其频率稳定性和频偏(频率偏移)的关键参数之一。它与晶体的等效电路模型密切相关。 (动态电容C1测试数据:SMD3225无源贴片晶振8MHz 10pF  ±20ppm) 关于晶体谐振器动态电容C1的大小对频偏的影响,晶…
    时间:2025/05/23
  • 如何根据芯片手册选择晶振?
    如何根据芯片手册选择晶振? 在选择晶振时,晶诺威科技提醒需要关注的三个关键因素如下: 频率范围 请根据过芯片手册来确定晶振频率及频率精度,选择正确及合适的晶振。如果为无源晶振,请确认负载电容不要选错。如果是有源晶振,请关注电源电压及输出波形这两个指标。举例如下: (External crystal …
    时间:2024/08/30
  • 8MHz晶振及32.768kHz晶振典型应用电路
    Typical application with an 8 MHz crystal and a 32.768 kHz crystal  8MHz无源晶振和32.768KHz无源晶振典型应用电路如下: (Typical application with an 8 MHz crystal ) (Typi…
    时间:2024/06/26
  • 蓝牙芯片的晶振匹配电容调整1pF,频偏会变化多少?
    蓝牙芯片的晶振匹配电容调整1pF,频偏会变化多少? 答:晶振本身的电气参数牵引值(TS)代表的就是负载电容的变化对晶振频率的影响程度,单位是ppm/pF。 因此,如果想知道晶振匹配电容调整1pF,频偏会变化多少,首先要知道其TS值。无源晶振的牵引值受到晶振本身负载电容、频率、封装尺寸等诸因素影响。一…
    时间:2024/04/01
  • 晶振负载电容公式,怎么计算?
    晶振负载电容公式,怎么计算? 答:晶振负载电容CL = [Cd * Cg / (Cd + Cg)] + Cic + △C其中,Cd和Cg分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic(集成电路内部电容)+△C (PCB上电容总值/杂散Cs)经验值为3~5pF。需要注意的是,不同的IC和PCB材质会有差异…
    时间:2024/03/19
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