晶振的起振时间是多少？

回答：一般在10ms（毫秒）内。

组建一个完整的无源晶振振荡电路，需要考虑的主要组合参数有：封装尺寸、调整频差、温度频差、负载电容、外接电容、工作温度、激励功率及绝缘阻抗等。

在晶振电路中，最容易让初步涉及数字电路的电子工程师混淆的即是晶振的负载电容与外接电容。无源晶振的负载电容是晶振本身固有参数，选型确定后就无法改变了，常见如9PF、12PF、12.5PF、20PF等。而外接电容指的是无源晶振外部电路中接的电容，通过调节外接电容值的大小可以起到微调晶振实际输出频率的作用。电容的单位为PF。

晶振的起振时间与外接电容值的大小存在一定关系，原理是外接电容越大，相对耗损的电流就越多，即作用于晶振本身的激励功率变小，晶振的起振时间就会增加。举一个偏激的例子，若晶振外接电容应为20PF，我们却采用电容300PF，晶振可能就根本无法起振了，更不用提及晶振的起振时间长短的问题。

在一些数字电路设计中，电路板上电后系统需要首先去捕捉晶振的时钟信号以完成诊断指令。在这样的情况之下，就需要晶振的起振时间先于系统捕捉时钟信号之前，否则会导致开机系统运行失败。若无源晶振的实际应用在调试中仍无法满足系统要求，晶诺威科技建议采用有源晶振方案。